[發(fā)明專利]陶瓷-鋁接合體、絕緣電路基板、功率模塊、LED模塊、熱電模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680068683.1 | 申請日: | 2016-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN108292632B | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 寺崎伸幸;長友義幸 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱綜合材料株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/13 | 分類號: | H01L23/13;C04B37/02;H01L23/12;H01L23/373;H01L23/40 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 刁興利;康泉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陶瓷 接合 絕緣 路基 功率 模塊 led 熱電 | ||
本發(fā)明的接合體為陶瓷部件與由鋁或鋁合金構(gòu)成的鋁部件接合而成的陶瓷?鋁接合體,其中,所述陶瓷部件由包含鎂的氮化硅構(gòu)成,在所述陶瓷部件與所述鋁部件的接合界面形成有在鋁、硅、氧及氮的化合物中包含鎂的接合層。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種陶瓷部件與由鋁或鋁合金構(gòu)成的鋁部件接合而成的陶瓷-鋁接合體及絕緣電路基板以及具備該絕緣電路基板的功率模塊、LED模塊、熱電模塊。
本申請主張基于2015年11月26日于日本申請的專利申請2015-231040號及2016年9月13日于日本申請的專利申請2016-178530號的優(yōu)先權(quán),并將其內(nèi)容援用于此。
背景技術(shù)
功率模塊、LED模塊及熱電模塊被設(shè)為在由導(dǎo)電材料構(gòu)成的電路層上接合有功率半導(dǎo)體元件、LED元件及熱電元件而成的結(jié)構(gòu)。
例如,對于用于控制風力發(fā)電、電動汽車、混合動力汽車等而使用的大電力控制用功率半導(dǎo)體元件,由于工作時發(fā)熱量較多,因此作為搭載該元件的基板,廣泛使用由耐熱性、絕緣性優(yōu)異的氮化硅(Si3N4)構(gòu)成的陶瓷基板(絕緣層)。
還提供在這種陶瓷基板(絕緣層)的一面接合導(dǎo)電性優(yōu)異的金屬板來形成電路層,并且,在另一面接合散熱性優(yōu)異的金屬層來進行一體化的絕緣電路基板(功率模塊用基板)。
例如,專利文獻1所示的功率模塊被設(shè)為如下結(jié)構(gòu),即,具備:絕緣電路基板(功率模塊用基板),在陶瓷基板的一面及另一面形成有由鋁板構(gòu)成的電路層及由鋁板構(gòu)成的金屬層;及半導(dǎo)體元件,在該電路層上通過焊料接合而成。
并且,該功率模塊被設(shè)為如下結(jié)構(gòu),即,在絕緣電路基板(功率模塊用基板)的金屬層側(cè)接合有散熱片,且通過散熱片向外部發(fā)散從半導(dǎo)體元件向絕緣電路基板(功率模塊用基板)側(cè)傳遞的熱量。
專利文獻1:日本專利第3171234號公報
在上述絕緣電路基板(功率模塊用基板)中,示出了在接合陶瓷基板與鋁板時使用Al-Si系釬料等的例子,但在接合由氮化硅(Si3N4)構(gòu)成的陶瓷基板(絕緣層)與鋁板時,因陶瓷基板的燒結(jié)助劑等的影響而未能充分確保接合強度。
尤其,在功率半導(dǎo)體元件工作時的發(fā)熱引起的高溫狀態(tài)與非工作時的低溫狀態(tài)之間反復(fù)進行冷熱循環(huán)的絕緣電路基板(功率模塊用基板)中,存在陶瓷基板(絕緣層)與金屬層之間接合可靠性容易降低的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的,其目的在于提供一種對由氮化硅構(gòu)成的陶瓷部件以保持較高的接合可靠性的狀態(tài)接合鋁部件而成的陶瓷-鋁接合體、絕緣電路基板及具備該絕緣電路基板的功率模塊、LED模塊、熱電模塊。
為了解決上述課題,本發(fā)明的接合體為陶瓷部件與由鋁或鋁合金構(gòu)成的鋁部件接合而成的陶瓷-鋁接合體,該陶瓷-鋁接合體的特征在于,所述陶瓷部件由包含鎂的氮化硅構(gòu)成,在所述陶瓷部件與所述鋁部件的接合界面形成有在鋁、硅、氧及氮的化合物中包含鎂的接合層。
根據(jù)本發(fā)明的接合體,相較于接合界面中幾乎不存在鎂的情況,形成于陶瓷部件與鋁部件的接合界面的包含鎂的接合層,更深入形成于陶瓷部件的厚度方向的內(nèi)部。即,通過鎂的存在,直至陶瓷部件的內(nèi)部的更深區(qū)域,形成賽隆(SiAlON)結(jié)構(gòu)中包含鎂的化合物。由此,陶瓷部件與鋁部件的接合強度得到提高,從而能夠提高接合體的接合可靠性。
所述接合層的組成比例中,優(yōu)選硅為10at%~18at%、氧為20at%~35at%、氮為25at%~40at%、鎂為3at%~8at%、剩余部分為鋁。
將接合層的組成比例設(shè)為上述范圍,由此直至陶瓷部件的內(nèi)部的更深區(qū)域形成有在構(gòu)成接合層的賽隆結(jié)構(gòu)中包含鎂的化合物,從而能夠提高陶瓷部件與鋁部件的接合強度。
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