[發(fā)明專利]陶瓷-鋁接合體、絕緣電路基板、功率模塊、LED模塊、熱電模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680068683.1
• 申請日: 2016-11-08
• 公開（公告）號: CN108292632B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 寺崎伸幸;長友義幸
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;C04B37/02;H01L23/12;H01L23/373;H01L23/40
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 刁興利;康泉

1.一種陶瓷-鋁接合體，其為陶瓷部件與由鋁或鋁合金構(gòu)成的鋁部件接合而成的陶瓷-鋁接合體，該陶瓷-鋁接合體的特征在于，

所述陶瓷部件由包含鎂的氮化硅構(gòu)成，

在所述陶瓷部件與所述鋁部件的接合界面形成有在鋁、硅、氧及氮的化合物中包含鎂的接合層，

所述接合層包含3at％～8at％的鎂。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷-鋁接合體，其特征在于，

所述接合層的組成比例中，硅為10at％～18at％、氧為20at％～35at％、氮為25at％～40at％、鎂為3at％～8at％、剩余部分為鋁。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷-鋁接合體，其特征在于，

在從所述陶瓷部件的表面向所述鋁部件側(cè)隔開10μm的位置，銅為1.2質(zhì)量％以下且鐵為0.6質(zhì)量％以下。

4.一種絕緣電路基板，其為陶瓷基板與由鋁或鋁合金構(gòu)成的鋁板接合而成的絕緣電路基板，該絕緣電路基板的特征在于，

所述陶瓷基板由包含鎂的氮化硅構(gòu)成，

在所述陶瓷基板與所述鋁板的接合界面形成在有鋁、硅、氧及氮的化合物中包含鎂的接合層，

所述接合層包含3at％～8at％的鎂。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的絕緣電路基板，其特征在于，

所述接合層的組成比例中，硅為10at％～18at％、氧為20at％～35at％、氮為25at％～40at％、鎂為3at％～8at％、剩余部分為鋁。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的絕緣電路基板，其特征在于，

在從所述陶瓷基板的表面向所述鋁板側(cè)隔開10μm的位置，銅為1.2質(zhì)量％以下且鐵為0.6質(zhì)量％以下。

7.一種功率模塊，其特征在于，具備權(quán)利要求4至6中任一項所述的絕緣電路基板及搭載于該絕緣電路基板的功率半導(dǎo)體元件。

8.一種LED模塊，其特征在于，具備權(quán)利要求4至6中任一項所述的絕緣電路基板及搭載于該絕緣電路基板的LED元件。

9.一種熱電模塊，其特征在于，具備權(quán)利要求4至6中任一項所述的絕緣電路基板及搭載于該絕緣電路基板的熱電元件。