[發明專利]具有基礎層及附著于其上的窗的拋光墊

有效

• 申請號: 201680066823.1
• 申請日: 2016-11-02
• 公開（公告）號: CN108349060B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: P.A.勒費夫爾;W.C.阿利森;D.斯科特;J.阿爾諾
• 申請（專利權）人: 嘉柏微電子材料股份公司
• 主分類號: B24B37/20
• 分類號: B24B37/20;B24B37/22;B24B37/24;B24B37/26;C09K3/14;H01L21/321
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 孫梵

本發明描述具有基礎層及附著于該基礎層上的窗的拋光墊，及制造該拋光墊的方法。在一實例中，用于拋光基板的拋光墊包括具有第一模量的基礎層。拋光層附著于該基礎層上且具有低于該第一模量的第二模量。第一開口穿過該拋光層且第二開口穿過該基礎層。該第一開口暴露該第二開口的至少一部分且暴露該基礎層的一部分。窗安置于該第一開口中且附著于該基礎層的暴露部分。

【技術領域】

本發明的實施方式在化學機械拋光(CMP)的領域內，且特定言之，具有基礎層及附著于基礎層上的窗的拋光墊，及制造該拋光墊的方法。

【背景技術】

化學機械平坦化或化學機械拋光(通常簡稱為CMP)為半導體制造中用于平坦化半導體晶圓或其他基板的技術。

本方法使用研磨劑及腐蝕性化學漿料(通常為膠體)，結合拋光墊及直徑通常大于晶圓的保持環。拋光墊及晶圓藉由動態拋光頭按壓在一起且藉由塑料保持環定位固持。動態拋光頭在拋光期間旋轉。此方法有助于材料的移除且往往會校平任何不規則構形，使得晶圓平整或平坦。此可為必需的，以便安裝晶圓以用于額外電路元件的形成。例如，此可能為必需的，以便將整個表面引入光微影(光刻)系統的景深內，或基于材料的位置選擇性移除材料。典型景深要求因最新低于50納米技術節點而降至埃等級。

材料移除的方法并非簡單地研磨刮擦，如砂紙對于木材。漿料中的化學物質亦與待移除的材料反應及/或使其弱化。研磨劑加快此弱化制程，且拋光墊有助于自表面擦拭經反應的材料。除漿料技術中的發展之外，拋光墊亦在日益復雜的CMP操作中發揮重要作用。

然而，在CMP墊技術的演進中需要額外改良。

【發明內容】

本發明的實施方式包括具有基礎層及附著于基礎層上的窗的拋光墊，及制造該拋光墊的方法。

在一實施方式中，用于拋光基板的拋光墊包括具有第一模量(modulus)的基礎層。拋光層附著于基礎層上且具有低于第一模量的第二模量。第一開口穿過拋光層且第二開口穿過基礎層。第一開口暴露第二開口的至少一部分且暴露基礎層的一部分。窗安置于第一開口中且附著于基礎層的暴露部分。

在另一實施方式中，制造用于拋光基板的拋光墊的方法包括形成穿過拋光層的第一開口。拋光層具有拋光面及背面且具有模量。該方法進一步包括將基礎層附著于拋光層的背面。基礎層具有高于拋光層模量的模量。該方法進一步包括在將基礎層附著于拋光層背面之后，形成穿過基礎層的第二開口。第一開口暴露第二開口的至少一部分且暴露基礎層的一部分。該方法進一步包括將窗插入第一開口且將窗附著于基礎層的暴露部分。

在另一實施方式中，制造用于拋光基板的拋光墊的方法包括形成穿過拋光層的第一開口。拋光層具有拋光面及背面且具有模量。該方法亦包括形成穿過基礎層的第二開口。基礎層具有拋光面及背面且具有高于拋光層模量的模量。該方法亦包括將窗附著于基礎層的拋光面。窗覆蓋第二開口的至少一部分。該方法亦包括在將窗附著于基礎層的拋光面之后，將拋光層附著于基礎層。穿過拋光層形成的第一開口包圍窗。

【附圖說明】

圖1A繪示根據本發明的一實施方式，沿著圖1B的A-A'軸線截取的拋光墊的橫截面視圖，拋光墊具有容納于拋光層內的開口內且藉由粘接層附著于下方基礎層的窗。圖1B繪示根據本發明的一實施方式的圖1A的拋光墊的平面視圖。

圖2A至圖2I繪示代表根據本發明的一實施方式的制造用于拋光基板的拋光墊的方法中不同操作的橫截面視圖。

圖3繪示根據本發明的一實施方式的拋光墊的橫截面視圖，拋光墊具有容納于拋光層內的開口內且利用焊接區域附著于下方基礎層的窗。

圖4繪示根據本發明的一實施方式的拋光墊的橫截面視圖，拋光墊具有容納于拋光層內的開口內且利用搭扣配合配置附著于下方基礎層的窗。