[發明專利]傳感器半導體器件和生產傳感器半導體器件的方法有效
| 申請號: | 201680066475.8 | 申請日: | 2016-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN108292634B | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發明(設計)人: | 內博伊沙·內納多維奇;阿加塔·沙基奇;米查·因特·贊特;弗雷德里克·威廉·毛里茨·萬赫爾蒙特;希爾科·瑟伊;羅埃爾·達門 | 申請(專利權)人: | AMS有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;G01N27/22 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王小衡;胡彬 |
| 地址: | 奧地利溫特*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳感器 半導體器件 生產 方法 | ||
1.一種傳感器半導體器件,包括:
基板(1),其包括主表面(2),
傳感器區域(3),其在所述主表面(2)上或上方,
傳感器元件(10),其在所述傳感器區域(3)中,以及
涂覆層(4),其在所述主表面(2)的上方,所述涂覆層(4)包含所述傳感器區域(3),其特征在于,
所述傳感器元件(10)被所述涂覆層(4)完全覆蓋,
所述涂覆層(4)由能夠被濕氣滲透的材料形成,
溝槽(5)被形成在所述傳感器區域(3)周圍的所述涂覆層(4)中,所述溝槽(5)提供來自所述涂覆層(4)的液體的排放,以及
所述涂覆層(4)具有背離所述基板(1)的上表面(8),所述上表面(8)在由所述溝槽(5)環繞的區域中是平坦的;
其中親水的襯里(7)被布置在所述主表面(2)和所述涂覆層(4)之間,以及所述親水的襯里(7)被暴露在所述溝槽(5)中。
2.根據權利要求1所述的傳感器半導體器件,還包括:
被形成在所述傳感器區域(3)周圍的所述涂覆層(4)中的通道(6),被布置在所述傳感器區域(3)與所述通道(6)之間的所述溝槽(5)。
3.根據權利要求2所述的傳感器半導體器件,還包括:
被布置在所述涂覆層(4)上或上方的模塑化合物(9),
不被所述模塑化合物(9)覆蓋的所述傳感器區域(3)和所述溝槽(5),以及
完全環繞整個沒有所述模塑化合物(9)的區域的所述通道(6)。
4.根據權利要求1至3中的任意一項所述的傳感器半導體器件,其中,由所述溝槽(5)環繞的所述區域整個被所述涂覆層(4)覆蓋。
5.根據權利要求1至3中的任意一項所述的傳感器半導體器件,其中,所述涂覆層(4)包括濕氣敏感材料。
6.一種生產傳感器半導體器件的方法,包括:
形成包含傳感器區域(3)的涂覆層(4),所述傳感器區域(3)包括在基板(1)的主表面(2)上或上方的傳感器元件(10),以及
將親水的襯里(7)布置在所述主表面(2)和所述涂覆層(4)之間,以及將所述親水的襯里(7)暴露在溝槽(5)中,
其特征在于,
所述傳感器元件(10)被所述涂覆層(4)完全覆蓋,
所述涂覆層(4)由能夠被濕氣滲透的材料形成,
所述溝槽(5)被形成在所述傳感器區域(3)周圍的所述涂覆層(4)中,所述溝槽(5)提供來自所述涂覆層(4)的液體的排放,
在由所述溝槽(5)環繞的區域中,所述涂覆層(4)被形成為使得其具有背離所述基板(1)的平坦的上表面(8)。
7.根據權利要求6所述的生產傳感器半導體器件的方法,其中,所述涂覆層(4)由濕氣敏感材料形成。
8.根據權利要求6或7所述的生產傳感器半導體器件的方法,還包括:
在所述涂覆層(4)中形成通道(6),所述通道(6)完全環繞包括所述傳感器區域(3)的區域,使得所述溝槽(5)被布置在所述傳感器區域(3)與所述通道(6)之間,將模塑化合物(9)施加在所述涂覆層(4)上或上方,使得所述傳感器區域(3)和所述溝槽(5)不被所述模塑化合物覆蓋,并且將所述通道(6)作為屏障使用以防止所述模塑化合物(9)延伸到由所述通道(6)環繞的區域中。
9.根據權利要求6或7中的任意一項所述的生產傳感器半導體器件的方法,其中,所述溝槽(5)被形成為完全環繞整個被所述涂覆層(4)覆蓋的區域。
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