[發(fā)明專利]信號處理電路與方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680065666.2
• 申請日: 2016-11-02
• 公開（公告）號: CN108352985A
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設計）人: 安茂博章;澤田憲
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: H04L9/10
• 分類號: H04L9/10
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 張雪梅

本公開涉及一種信號處理電路以及用于該電路的方法，其能生成穩(wěn)定的物理不可克隆函數(shù)(PUF)，該PUF較少受到環(huán)境變化的影響，且具有較少的特性劣化。兩個VDD為交替反轉(zhuǎn)的電壓。該兩個VDD進行充電和放電，使得一個接通，而另一個關斷，且電流在開關(反轉(zhuǎn))期間距邊沿一定差值而流動。輸出I1與該對DUT之間的電容值差值成比例，且由ΔC＝ΔI/(VDD*f)能夠得到該對DUT之間的電容值差值。例如能夠?qū)⒈炯夹g(shù)應用于其上安裝有差動對的信號處理電路。

技術(shù)領域

本公開涉及一種信號處理電路與一種用于該電路的方法，且更具體地，涉及一種能夠生成穩(wěn)定的物理不可克隆函數(shù)(PUF)的信號處理電路和用于該電路的方法，該PUF較少受到環(huán)境變化的影響，且具有較少的特性劣化。

背景技術(shù)

近年來，物理不可克隆函數(shù)(PUF)被用在IC標簽中、認證安全系統(tǒng)、LSI防偽等之中。它們的實例為使用SRAM與仲裁器PUF的智能卡(非專利文獻1)。

此外，已報道基于隨機電報噪聲(RTN)的PUF技術(shù)(非專利文獻2)未得到商業(yè)化。

同時，提出了能夠檢測aF級的極小電容差的基于差動電荷的電容測量(DCBCM)方法(參見專利文獻1與非專利文獻3)。

引文清單

專利文獻

[專利文獻1]國際公開：WO2013/091909

非專利文獻

[非專利文獻1]<Protecting next-generation Smart Card ICs with SRAM-based PUFs,Document order number:9397 750 17366,www.nxp.com,February 2013>

[非專利文獻2]<Jiezhi Chen,Tetsufumi Tanamoto,Hiroki Noguchi andYuichiro Mitani,“Further Investigations on Traps Stabilities in RandomTelegraph Signal Noise and the Application to a Novel Concept PhysicalUnclonable Function(PUF)with Robust Reliabilities”,Toshiba Corporation,VLSITechnology(VLSI Technology),2015Symposium on,T40-T41,16-18 June 2015>

[非專利文獻3]<Ken Sawada1,Geert Van der Plas2,Yuichi Miyamori3,Tetsuya Oishi4,Cherman Vladimir2,Abdelkarim Mercha2,Verkest Diederik2,andHiroaki Ammo41,Characterization of Capacitance Mismatch Using SimpleDifference Charge-Based Capacitance Measurement(DCBCM)Test Structure,SonyCorporation to IMEC,Microelectronic Test Structures(ICMTS),2013 IEEEInternational Conference on,49-52,25-28March 2013>

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的問題

然而，在PUF讀取時，需要關閉/開啟SRAM PUF，而由于諸如供電電壓和溫度等環(huán)境條件的緣故，仲裁器PUF具有PUF的輸出變化。此外，基于RTN的PUF利用柵氧化物膜與界面上的阱，從而在高溫下導致了特性劣化。這需要更新操作，且缺乏穩(wěn)定性。