[發(fā)明專利]信號(hào)處理電路與方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680065666.2 | 申請(qǐng)日: | 2016-11-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108352985A | 公開(公告)日: | 2018-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 安茂博章;澤田憲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 索尼公司 |
| 主分類號(hào): | H04L9/10 | 分類號(hào): | H04L9/10 |
| 代理公司: | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人: | 張雪梅 |
| 地址: | 日本國東*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 信號(hào)處理電路 電容 物理不可克隆函數(shù) 充電和放電 環(huán)境變化 技術(shù)應(yīng)用 交替反轉(zhuǎn) 特性劣化 反轉(zhuǎn) 關(guān)斷 接通 電路 輸出 流動(dòng) | ||
1.一種信號(hào)處理電路,其包括:
一對(duì)電容,其形成差動(dòng)對(duì);以及
輸出單元,其檢測(cè)所述一對(duì)電容之間的電容值差值,且輸出所述差值,以將其應(yīng)用于物理不可克隆函數(shù)(PUF)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)處理電路,還包括交替反轉(zhuǎn)的電壓,其中,通過在所述電壓下對(duì)所述一對(duì)電容充電和放電,來檢測(cè)所述電容值差值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的信號(hào)處理電路,其中所述一對(duì)電容由以布置成列或矩陣的電容構(gòu)成的電容陣列中的任兩個(gè)電容模塊構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的信號(hào)處理電路,還包括對(duì)應(yīng)于構(gòu)成所述電容陣列的所述電容設(shè)置的配線電容,其中通過使用多個(gè)電壓來校正所述配線電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的信號(hào)處理電路,其中所述一對(duì)電容為柵電容與MIS類型中之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的信號(hào)處理電路,還包括與構(gòu)成所述電容陣列的所述電容并聯(lián)布置的開關(guān),其中通過接通和關(guān)斷所述開關(guān)來校正所述配線電容。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)處理電路,其中所述一對(duì)電容為柵電容、MOM型配線與MIS類型中之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)處理電路,其中所述輸出單元確定所述電容值差值為正還是負(fù),將所述電容值差值轉(zhuǎn)換為1位數(shù)字信號(hào),并輸出所述轉(zhuǎn)換的電容值差值。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)處理電路,其中所述輸出單元將所述電容值差值多值化,并輸出所述處理的電容值差值。
10.一種信號(hào)處理方法,其包括:通過信號(hào)處理電路,檢測(cè)充當(dāng)差動(dòng)對(duì)的一對(duì)電容的電容值差值,且輸出所述電容值差值,以將其應(yīng)用于物理不可克隆函數(shù)(PUF)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于索尼公司,未經(jīng)索尼公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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