[發(fā)明專利]測量用于基片的氣氛輸送和存儲的運輸箱的污染物的方法和系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680063515.3 | 申請日: | 2016-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN108352345B | 公開(公告)日: | 2022-01-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | O·勒-巴里耶;J·布努阿爾 | 申請(專利權(quán))人: | 普發(fā)真空公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 吳鵬;馬江立 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測量 用于 氣氛 輸送 存儲 運輸 污染物 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種測量用于基片(3)的氣氛輸送和存儲的運輸箱(2)的污染物的方法,其中通過測量裝置測量運輸箱(2)內(nèi)的至少一種氣態(tài)物質(zhì)的濃度,所述測量裝置包括至少一個氣體分析儀(5,5b)和將所述至少一個氣體分析儀(5,5b)連接到接口(7)的測量管線(6),所述接口(7)使測量管線(6)與至少一個運輸箱(2)的內(nèi)部氣氛連通,其特征在于,在每次氣態(tài)物質(zhì)測量之后,將含水蒸氣的氣流供給到所述測量裝置,其中,如果氣態(tài)物質(zhì)的濃度低于預定閾值,則供給具有第一濕度的氣流,如果氣態(tài)物質(zhì)的濃度超過預定閾值,則供給具有大于所述第一濕度的第二濕度的氣流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量用于基片(3)的氣氛輸送和存儲的運輸箱(2)的污染物的方法,其中,被測量濃度的至少一種氣態(tài)物質(zhì)是氫氟酸(HF)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測量用于基片(3)的氣氛輸送和存儲的運輸箱(2)的污染物的方法,其中,含水蒸氣的氣流具有大于40%的濕度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測量用于基片(3)的氣氛輸送和存儲的運輸箱(2)的污染物的方法,其中,含水蒸氣的氣流具有大于95%的濕度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測量用于基片(3)的氣氛輸送和存儲的運輸箱(2)的污染物的方法,其中,含水蒸氣的氣流是濕空氣。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測量用于基片(3)的氣氛輸送和存儲的運輸箱(2)的污染物的方法,其中,在執(zhí)行污染物測量的同時向所述測量裝置供給含水蒸氣的氣流。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測量用于基片(3)的氣氛輸送和存儲的運輸箱(2)的污染物的方法,其中,在進行了污染物測量與隔離所述接口(7)之后,將含水蒸氣的氣流供給到所述測量裝置。
8.一種測量用于基片的氣氛輸送和存儲的運輸箱的污染物的系統(tǒng),該系統(tǒng)包括:
-測量裝置,該測量裝置包括至少一個氣體分析儀(5,5b)和與所述至少一個氣體分析儀(5,5b)連接的測量管線(6),以及
-接口(7),所述接口(7)用于使所述測量管線(6)與至少一個運輸箱(2)的內(nèi)部氣氛連通,以便通過所述至少一個氣體分析儀(5,5b)對包含在運輸箱(2)的內(nèi)部氣氛中的至少一種氣態(tài)物質(zhì)進行分析,
其特征在于,所述系統(tǒng)包括濕度發(fā)生器(9),所述濕度發(fā)生器(9)配置為在每次氣態(tài)物質(zhì)測量之后,向所述測量裝置供給含水蒸氣的氣流,其中,如果氣態(tài)物質(zhì)的濃度低于預定閾值,則供給具有第一濕度的氣流,如果氣態(tài)物質(zhì)的濃度超過預定閾值,則供給具有大于所述第一濕度的第二濕度的氣流。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測量用于基片的氣氛輸送和存儲的運輸箱的污染物的系統(tǒng),其特征在于,所述濕度發(fā)生器(9)聯(lián)接到測量管線(6),所述測量管線(6)將所述至少一個氣體分析儀(5,5b)連接到所述接口(7),所述測量系統(tǒng)包括布置在所述測量管線(6)上的至少一個閥(8;8a,8b,8c),所述閥(8;8a,8b,8c)被配置為使所述接口(7)與至少一個氣體分析儀(5,5b)連通或使所述至少一個氣體分析儀(5,5b)與所述濕度發(fā)生器(9)連通。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的測量用于基片的氣氛輸送和存儲的運輸箱的污染物的系統(tǒng),其特征在于,所述至少一個氣體分析儀(5,5b)包括采樣泵。
11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的測量用于基片的氣氛輸送和存儲的運輸箱的污染物的系統(tǒng),其特征在于,所述至少一個氣體分析儀(5,5b)包括通過吸收光譜操作的光學傳感器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





