[發(fā)明專利]基板及基板的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680063337.4
• 申請日: 2016-04-04
• 公開（公告）號: CN108353499B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設計）人: 關(guān)保明;高林純平;牧野直之;志志目和男
• 申請（專利權(quán)）人: 名幸電子股份有限公司
• 主分類號: H05K1/11
• 分類號: H05K1/11;H05K1/02;H05K3/40
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王婷

基板(1)具備：層疊布線板(3)，其形成有多個由導電材料構(gòu)成的導電層(2)；通孔(6)，其貫穿層疊布線板(3)而形成；金屬片(10)，其在通孔(6)全長的范圍內(nèi)配設于通孔(6)的內(nèi)側(cè)；鼓出部(8)，其從通孔(6)的外緣向外鼓出，并在通孔(6)的整個長度方向上切除形成；鼓出孔(9)，其通過由鼓出部(8)及露出到鼓出部(8)內(nèi)的金屬片(10)的表面包圍而形成；鍍膜(13)，其覆蓋鼓出孔(9)的內(nèi)壁。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及基板及基板的制造方法，所述基板是印制布線板等基板，且被嵌入有金屬片，大電流特性及散熱特性優(yōu)異。

背景技術(shù)

電路中的半導體元件存在發(fā)熱量因高密度化、高電流化而增加的傾向。尤其是，使用了Si的半導體當周圍的溫度成為100℃以上時成為誤動作、故障的原因。作為這樣的半導體元件等發(fā)熱部件，例如存在IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、IPM(Intelligent Power Module)等開關(guān)元件。

為了有效冷卻發(fā)熱部件，以使從發(fā)熱部件產(chǎn)生的熱量朝向基板的相反側(cè)逸散的方式形成散熱路徑。具體而言，通過將從發(fā)熱部件產(chǎn)生的熱量向處于基板的背面?zhèn)?與部件搭載面(安裝面)相反的一側(cè))的散熱件等傳導來進行冷卻。

作為散熱路徑，例如使用由熱傳導率高的金屬(Cu、Al等)構(gòu)成的金屬片。該金屬片固定于在基板上形成的通孔內(nèi)。金屬片向通孔的固定通過利用壓入、塑性變形實現(xiàn)的密接、利用粘接劑、焊料實現(xiàn)的接合等來進行(例如參照專利文獻1)。通過金屬片與發(fā)熱部件接觸，從而從發(fā)熱部件產(chǎn)生的熱量經(jīng)由該金屬片(例如柱狀的銅)向外部散熱。

在先技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平2-134895號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

然而，希望不僅將金屬片用于散熱，還要用于電連接。以往，固定于通孔的狀態(tài)的金屬片僅是與通孔物理接觸，因此電導通不穩(wěn)定。即，無法穩(wěn)定且可靠地確保導電性。因此，以往另行在基板上設置電導通用的通孔，使用對該通孔的內(nèi)壁實施鍍銅而形成的通孔鍍層。然而，就實施這樣的通孔鍍層而言，在基板上需要用于實施該通孔鍍層的空間，從部件安裝的高密度化的觀點出發(fā)并不優(yōu)選。

本發(fā)明是考慮到上述現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)明，其目的在于提供具有散熱特性并且能夠?qū)崿F(xiàn)充分的電導通的基板及基板的制造方法。

用于解決課題的方案

為了達到所述目的，在本發(fā)明中，提供一種基板，其特征在于，所述基板具備：層疊布線板，其形成有多個由導電材料構(gòu)成的導電層；通孔，其貫穿該層疊布線板而形成；金屬片，其在該通孔全長的范圍內(nèi)配設于所述通孔的內(nèi)側(cè)；鼓出部，其從所述通孔的外緣向外鼓出，并在所述通孔的整個長度方向上切除形成；鼓出孔，其通過該鼓出部及露出到所述鼓出部內(nèi)的所述金屬片的表面包圍而形成；以及鍍膜，其覆蓋該鼓出孔的內(nèi)壁。

優(yōu)選的是，在所述通孔與所述金屬片之間、以及所述鼓出部與所述鍍膜之間夾有作為金屬膜的通孔鍍層。

優(yōu)選的是，所述基板還具有細孔，該細孔為由所述鍍膜包圍的空間，該細孔內(nèi)由填充材料填充。

另外，在本發(fā)明中，提供一種基板的制造方法，其特征在于，所述基板的制造方法具備：層疊布線板形成工序，在該層疊布線板形成工序中，將絕緣層和所述導電層重疊并沿著層疊方向加壓而形成所述層疊布線板，所述絕緣層由絕緣樹脂材料構(gòu)成，所述導電層以圖案的形式形成有所述導電材料；開孔工序，在該開孔工序中，形成貫穿所述層疊布線板的所述通孔及所述鼓出部；按壓工序，在該按壓工序中，在將所述金屬片穿過所述通孔而配設于所述通孔內(nèi)的狀態(tài)下，對所述金屬片進行按壓，由此使所述金屬片擴徑，將所述金屬片臨時保持在所述通孔內(nèi)；以及鍍膜形成工序，在該鍍膜形成工序中，對所述鼓出孔內(nèi)進行鍍敷處理而形成所述鍍膜。