[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置制造方法和電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680062816.4
• 申請(qǐng)日: 2016-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN108352388B
• 公開（公告）日: 2022-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 岸田栄一郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼半導(dǎo)體解決方案公司
• 主分類號(hào): H01L27/14
• 分類號(hào): H01L27/14;H01L21/301;H01L23/12;H01L23/28;H01L31/02;H01L33/48;H04N5/369
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 喬焱;曹正建

本技術(shù)是為了抑制半導(dǎo)體裝置的光輸入/輸出環(huán)境的劣化，在所述半導(dǎo)體裝置中，透光性材料經(jīng)由粘合劑層疊在光學(xué)元件形成表面上。公開了一種固態(tài)攝像裝置，所述固態(tài)攝像裝置設(shè)置有：半導(dǎo)體元件，所述半導(dǎo)體元件由芯片尺寸封裝制造；透光性材料，所述透光性材料使用粘合劑粘接，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件的光學(xué)元件形成表面；以及側(cè)表面保護(hù)樹脂層，所述側(cè)表面保護(hù)樹脂層覆蓋暴露出所述半導(dǎo)體元件和所述透光性材料的層結(jié)構(gòu)的整個(gè)側(cè)表面。

技術(shù)領(lǐng)域

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置制造方法和電子設(shè)備。

背景技術(shù)

通常，通過使如下半導(dǎo)體基板或晶圓單片化而形成的芯片尺寸封裝(CSP：chipsize package)是眾所周知的：在該半導(dǎo)體基板或晶圓上，配線已經(jīng)重新布置并且形成有保護(hù)膜或端子。特別地，通過類似處理制造的晶圓稱為晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(WCSP：waferlevel chip size package)。因?yàn)橥ㄟ^CPS制造的半導(dǎo)體裝置可以實(shí)現(xiàn)尺寸大致等于半導(dǎo)體元件，所以存在著諸如尺寸減小、寬度減小和重量降低等優(yōu)點(diǎn)。

在通過CSP制造的固態(tài)攝像裝置中，在使用粘合劑粘接平坦透明板以覆蓋形成有固態(tài)攝像元件的光接收元件的側(cè)表面之后，用切割工具對(duì)該粘接結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割和單片化。用來粘接透明板的粘合劑是透明的。透明板可以粘接到固態(tài)攝像元件的整個(gè)表面，或可以粘接成圍繞光接收元件的外側(cè)。

這里，在專利文獻(xiàn)1中，指出了一個(gè)缺點(diǎn)，即當(dāng)通過粘合劑的界面進(jìn)入的濕氣到達(dá)光接收元件與透明板之間的空間時(shí)，濕氣會(huì)對(duì)固態(tài)攝像裝置的圖像產(chǎn)生不利的影響。

專利文獻(xiàn)1公開了一種半導(dǎo)體芯片，在該半導(dǎo)體芯片中，在絕緣膜和阻焊劑順序地層疊在半導(dǎo)體裝置的后表面上時(shí)，包括諸如玻璃等透光性材料的支撐件經(jīng)由粘合劑片附接到半導(dǎo)體基板的其上設(shè)置有傳感器的表面。位于半導(dǎo)體芯片的后表面上的絕緣膜和阻焊劑的層疊結(jié)構(gòu)延伸到位于半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面上的透光性材料的中間，以便從半導(dǎo)體芯片的后表面繞到半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面來防止?jié)駳膺M(jìn)入形成在傳感器上的氣隙。

引用列表

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_第2010-238729號(hào)

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題

上述專利文獻(xiàn)1的技術(shù)具有如下構(gòu)造：在該構(gòu)造中，出現(xiàn)在半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面上的粘合劑片的層被包括絕緣膜和阻焊劑的兩層結(jié)構(gòu)覆蓋，以防止水分和濕氣沿基本上垂直的方向進(jìn)入半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面。然而，專利文獻(xiàn)1中所述的覆蓋半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面的絕緣膜和阻焊劑的兩層結(jié)構(gòu)被設(shè)置到透光性材料的中間。因此，水分和濕氣可能通過絕緣膜的界面到達(dá)粘合劑片。

此外，關(guān)于專利文獻(xiàn)1中的半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體基板經(jīng)由粘合劑片被放置并粘接到透光性材料(支撐件)，半導(dǎo)體基板和粘合劑片沿著網(wǎng)格線被切割，絕緣膜沿著半導(dǎo)體基板的底表面和切槽的內(nèi)壁表面形成，通過蝕刻除去多余的絕緣膜，并且執(zhí)行重新配線等的處理。其后，形成覆蓋半導(dǎo)體基板的整個(gè)后表面和切槽的內(nèi)壁表面的阻焊劑，除去多余的阻焊劑，最后，沿著切槽的中心部對(duì)包括透光性材料的整個(gè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割和單片化。專利文獻(xiàn)1中的半導(dǎo)體芯片是以這種方式制造的。因此，需要精確且復(fù)雜的制造工藝來保護(hù)側(cè)表面。

此外，不僅作為包括光接收元件的固態(tài)攝像裝置的半導(dǎo)體裝置具有上述問題，而且包括發(fā)光元件的半導(dǎo)體裝置也類似地具有上述問題。此外，在通過CSP制造的半導(dǎo)體裝置包括諸如光接收元件和發(fā)光元件等光學(xué)元件的情況下，存在著這樣的問題：從因切割而暴露層疊結(jié)構(gòu)的側(cè)表面進(jìn)入的光會(huì)引起閃光和重影。

本技術(shù)是鑒于上述問題而做出的。本技術(shù)的目的是防止透光性材料經(jīng)由粘合劑層疊在光學(xué)元件形成表面上的半導(dǎo)體裝置中的光入射/發(fā)射環(huán)境的劣化。

解決問題的技術(shù)方案