[發明專利]半導體裝置、半導體裝置制造方法和電子設備

有效

• 申請號: 201680062816.4
• 申請日: 2016-09-28
• 公開（公告）號: CN108352388B
• 公開（公告）日: 2022-11-18
• 發明（設計）人: 岸田栄一郎
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L27/14
• 分類號: H01L27/14;H01L21/301;H01L23/12;H01L23/28;H01L31/02;H01L33/48;H04N5/369
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 喬焱;曹正建

1.一種半導體裝置，其包括：

半導體元件，所述半導體元件由芯片尺寸封裝制造；

透光性材料，所述透光性材料被配置成使用粘合劑粘接，以覆蓋所述半導體元件的光學元件形成表面；以及

側表面保護樹脂，所述側表面保護樹脂被配置成覆蓋暴露出所述半導體元件和所述透光性材料的層結構的整個側表面。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述側表面保護樹脂包括樹脂，所述樹脂的透濕性和透水性比包括所述粘合劑的粘合層低。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述側表面保護樹脂是不透明的。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述側表面保護樹脂在與面向所述半導體元件和所述透光性材料的表面相對的整個表面上具有由切割工具形成的切割痕跡。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

從面向所述半導體元件和所述透光性材料的表面到相對表面的所述側表面保護樹脂的厚度在層疊方向上跨過整個所述半導體元件和整個所述透光性材料是基本恒定的。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述側表面保護樹脂具有沿著所述透光性材料的表面設置并以屋檐形狀延伸的屋檐狀部分，并且

所述屋檐狀部分被形成為覆蓋所述光學元件形成表面的非光接收區域或非發光區域。

7.一種半導體裝置制造方法，所述方法包括：

工件形成過程：使用粘合劑將透光性材料粘合到半導體基板，以覆蓋半導體元件的光學元件形成表面而形成工件，在所述半導體基板上通過芯片尺寸封裝形成有多個所述半導體元件；

第一切割過程：將固定到切割片的所述工件單片化成半導體裝置的多個主要結構；

再連接過程：將樹脂填充到第一凹槽中并且使所述樹脂固化，以再連接多個所述主要結構，所述第一凹槽是被固定到所述切割片的多個所述主要結構之間的間隙；以及

第二切割過程：沿著所述第一凹槽的大致中央在所述樹脂中形成比所述第一凹槽窄的第二凹槽，以在使所述樹脂殘留在多個所述主要結構的側表面上的同時，單片化成多個所述半導體裝置。

8.一種半導體裝置制造方法，所述方法包括：

工件形成過程：使用粘合劑將透光性材料粘合到半導體基板，以覆蓋半導體元件的光學元件形成表面而形成工件，在所述半導體基板上通過芯片尺寸封裝形成有多個所述半導體元件；

V形凹槽形成過程：從所述透光性材料的側面沿著所述半導體元件之間的邊界形成V形凹槽；

第一切割過程：沿著所述V形凹槽的尖端將固定到切割片的所述工件切割成所述半導體元件的多個主要結構，并且使所述工件單片化；

再連接過程：將樹脂填充到第一凹槽和所述V形凹槽中并且使所述樹脂固化，以再連接多個所述主要結構，所述第一凹槽和所述V形凹槽是固定到所述切割片的多個所述主要結構之間的間隙；以及

第二切割過程：沿著所述第一凹槽的大致中央在所述樹脂中形成比所述第一凹槽窄的第二凹槽，以在使所述樹脂殘留在多個所述主要結構的側表面上的同時，單片化成多個所述半導體裝置。

9.一種電子設備，其包括：

半導體裝置，所述半導體裝置包括：

半導體元件，所述半導體元件由芯片尺寸封裝制造；

透光性材料，所述透光性材料被配置成使用粘合劑粘接，以覆蓋所述半導體元件的光學元件形成表面；以及

側表面保護樹脂，所述側表面保護樹脂被配置成覆蓋暴露出所述半導體元件和所述透光性材料的層結構的整個側表面。