[發明專利]熱成型裝置以及熱成型方法

有效

• 申請號: 201680062316.0
• 申請日: 2016-10-17
• 公開（公告）號: CN108349151B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 寺本一典;仁平政伸;宇佐美秀樹
• 申請（專利權）人: 株式會社淺野研究所
• 主分類號: B29C51/12
• 分類號: B29C51/12;B29C51/10
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 王艷波;姚開麗

1.一種熱成型裝置，其特征在于，具備：

上加熱板，具有從上方加熱片材的第一加熱面；

下加熱板，具有從下方加熱所述片材的第二加熱面；

基材供給部，具有能夠保持成型基材的基座，構成為能夠使所述成型基材拆裝于所述基座，并且能夠將所述成型基材配置在相對于所述第一加熱面在隔著所述片材的下方的成型位置；以及

片材傳送裝置，沿所述上加熱板的所述第一加熱面延伸的方式供給所述片材，

所述上加熱板以及所述下加熱板能夠從所述片材的上面以及下面同時加熱，

所述下加熱板設置為相對于所述上加熱板的下方位置能夠沿水平方向移動，

將利用所述上加熱板以及所述下加熱板加熱軟化的片材相對于保持在所述基座的所述成型基材進行模具成型或者與所述成型基材粘接，

所述上加熱板在所述第一加熱面吸引所述片材，與所述片材的所述上面接觸并加熱，

所述下加熱板隔開間隔地配置在所述片材的下方，構成為通過來自所述第二加熱面的輻射熱加熱所述片材的所述下面，

使收納有所述成型基材的所述基材供給部相對靠近在所述第一加熱面吸附有所述片材的所述上加熱板，并經由所述片材使所述基材供給部與所述上加熱板抵接，從而形成由所述片材以及所述基材供給部包圍的密閉空間，

所述下加熱板的加熱溫度設定為比所述上加熱板的加熱溫度高的溫度。

2.根據權利要求1所述的熱成型裝置，其特征在于，

所述基材供給部設置為在位于所述上加熱板的下方的所述成型位置與從所述成型位置隔開間隔設置的退避位置之間能夠移動。

3.一種熱成型方法，其特征在于，

使用熱成型裝置，所述熱成型裝置具備：上加熱板，具有從上方加熱片材的第一加熱面；下加熱板，具有從下方加熱所述片材的第二加熱面；基材供給部，具有能夠保持成型基材的基座，構成為能夠使所述成型基材拆裝于所述基座，并且能夠將所述成型基材配置在相對于所述第一加熱面在隔著所述片材的下方的成型位置；以及片材傳送裝置，沿所述上加熱板的所述第一加熱面延伸的方式供給所述片材，

將所述成型基材設置在所述基座上，并且將所述基座配置在所述成型位置，

在所述上加熱板的下方位置隔開間隔地配置下加熱板，

利用所述片材傳送裝置將所述片材沿所述上加熱板的所述第一加熱面配置，

將所述片材利用所述上加熱板以及所述下加熱板對所述片材的上下面分別加熱，

使所述下加熱板從所述上加熱板的下方位置退避，使收納有所述成型基材的所述基材供給部相對靠近在所述第一加熱面吸附有所述片材的所述上加熱板，并經由所述片材使所述基材供給部與所述上加熱板抵接，從而在所述片材的下方形成由所述片材以及所述基材供給部包圍的密閉空間，

將所述密閉空間內減壓，并且使加熱軟化的所述片材進行模具成型或者與所述成型基材粘接，

在對所述片材的上下面分別加熱時，

所述上加熱板在所述第一加熱面吸引所述片材，與所述片材的所述上面接觸并加熱，

所述下加熱板隔開間隔地配置在所述片材的下方，構成為通過來自所述第二加熱面的輻射熱加熱所述片材的所述下面，

將所述下加熱板的加熱溫度設定為比所述上加熱板的加熱溫度高的溫度。