[發明專利]研磨用組合物

有效

• 申請號: 201680061350.6
• 申請日: 2016-10-21
• 公開（公告）號: CN108138032B
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 杉田規章;松田修平;松下隆幸;知念美佳
• 申請（專利權）人: 霓達杜邦股份有限公司
• 主分類號: C09K3/14
• 分類號: C09K3/14;B24B37/00;H01L21/304
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張毅群

本發明提供一種可實現表面缺陷的抑制和霧度的降低的研磨用組合物。研磨用組合物包含磨粒、選自具有1，2?二醇結構單元的乙烯醇系樹脂中的至少一種水溶性高分子、多元醇、以及堿化合物。研磨用組合物優選進一步包含非離子性表面活性劑。

技術領域

本發明涉及一種研磨用組合物。

背景技術

利用CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨)的硅晶片的研磨通過進行3階段或4階段的多階段研磨而實現高精度的平坦化。對于在最終階段的研磨工序中所使用的漿料，通常使用羥乙基纖維素(HEC)和聚乙烯醇(PVA)等水溶性高分子。

例如，在日本專利特開2012-216723號公報中公開有如下研磨用組合物，其包含選自具有1，2-二醇結構單元的乙烯醇系樹脂中的至少1種水溶性高分子、以及堿。

發明內容

然而，近年來，要求以更嚴格的水平抑制表面缺陷、降低表面的霧度(haze)。

本發明為了解決該問題而完成，其目的在于提供一種可降低表面缺陷和霧度的研磨用組合物。

根據本發明的實施形態，研磨用組合物包含磨粒、選自具有下述式(1)所表示的1，2-二醇結構單元的乙烯醇系樹脂中的至少1種水溶性高分子、多元醇、以及堿化合物。

式中，R¹、R²和R³分別獨立地表示氫原子或有機基團，X表示單鍵或鍵鏈，R⁴、R⁵和R⁶分別獨立地表示氫原子或有機基團，R⁷和R⁸分別獨立地表示氫原子。

根據本發明的實施形態，研磨用組合物包含磨粒、選自具有上述式(1)所表示的1，2-二醇結構單元的乙烯醇系樹脂中的至少1種水溶性高分子、多元醇、以及堿化合物，因此可實現研磨后的硅晶片的表面缺陷的抑制和霧度的降低。

具體實施方式

對本發明的實施形態進行詳細說明。

本發明的實施形態的研磨用組合物COMP1包含磨粒、選自具有下述式(1)所表示的1，2-二醇結構單元的乙烯醇系樹脂中的至少1種水溶性高分子、多元醇、以及堿化合物。

[化學式1]

式中，R¹、R²和R³分別獨立地表示氫原子或有機基團，X表示單鍵或鍵鏈，R⁴、R⁵和R⁶分別獨立地表示氫原子或有機基團，R⁷和R⁸分別獨立地表示氫原子。

研磨用組合物COMP1用于硅的研磨。

作為磨粒，可以使用該領域中常用的磨粒，例如可列舉膠體二氧化硅、氣相二氧化硅、膠體氧化鋁、氣相氧化鋁和氧化鈰等，特別優選為膠體二氧化硅或氣相二氧化硅。

上式(1)所表示的水溶性高分子是改性聚乙烯醇(改性PVA)。作為改性PVA，可以使用高皂化型的PVA，也可以使用低皂化型的PVA。另外，作為改性PVA，可以使用任意聚合度的PVA。作為改性PVA，單獨配合1種或配合2種以上均可。

水溶性高分子的含量并不限定于此，以相對于研磨組合物(原液)整體的重量％計，例如為0.01～1.0重量％，優選為0.03～0.7重量％。另外，以相對于磨粒1重量份的比例計，例如為0.001～0.1重量份，優選為0.003～0.07重量份。