[發明專利]具有高速緩存的存儲器模塊操作的存儲器系統

有效

• 申請號: 201680057520.3
• 申請日: 2016-09-09
• 公開（公告）號: CN108139978B
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發明（設計）人: F·A·韋爾;K·L·賴特;J·E·林斯塔特;C·漢佩爾
• 申請（專利權）人: 拉姆伯斯公司
• 主分類號: G06F12/0868
• 分類號: G06F12/0868;G06F12/0888
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 酆迅;辛鳴

公開了存儲器控制器、設備、模塊、系統和關聯的方法。在一個實施例中，一種存儲器模塊包括用于耦合到總線的管腳接口?？偩€具有第一寬度。模塊包括至少一個存儲類存儲器(SCM)部件和至少一個DRAM部件。存儲器模塊在利用所有第一寬度的第一模式中和在利用少于所有第一寬度的第二模式中操作。

技術領域

這里的公開內容涉及存儲器系統、存儲器模塊、存儲器控制器、存儲器設備和關聯的方法。

背景技術

一代又一代動態隨機存取存儲器部件(DRAM)已經在市面上出現，其中光刻特征大小不斷地縮減。因而，來自每代的器件存儲容量已經增加。然而，越來越難以伸縮DRAM器件和獲得用于電荷存儲的充分電容性能。DRAM器件制造也可能成本高。

各種非易失性存儲器(聊舉數例比如電阻隨機存取存儲器(RRAM)和相變隨機存取存儲器(PCRAM))制造起來相對地廉價。然而，許多非易失性存儲器技術卻必須達到它們的DRAM對應物的性能。

將希望在存儲器系統中使用具有許多非易失性技術的成本優點和DRAM的性能的存儲器。

附圖說明

通過示例而不是通過限制在附圖的各圖中圖示了公開內容的實施例，并且在附圖中，相似標號指代相似單元，并且在附圖中：

圖1圖示了存儲器系統的一個實施例，該存儲器系統使用僅裝配DRAM部件的第一存儲器模塊以及裝配DRAM部件和存儲類存儲器(SCM)存儲器部件二者的第二模塊。

圖2A至圖2I圖示了這里進一步被描述的模塊互連方案的各種示例。

圖3圖示了數據緩沖器部件內的導引電路。

圖4A至圖4F圖示了與兩個不同存儲器模塊配置對應的各種高速緩存操作。

圖5圖示了標簽數據結構，其與SCM存儲器空間相關。

圖6圖示了點到點存儲器架構，該點到點存儲器架構利用具有DRAM部件的第一存儲器模塊和具有SCM部件的第二存儲器模塊。

圖7圖示了利用四個存儲器模塊的與圖6相似的存儲器架構。

圖8A至圖8F圖示了與各種存儲器模塊配置對應的多種高速緩存操作。

圖9圖示了根據一個實施例的存儲器系統的進一步的細節。

圖10至圖13圖示了關于圖9的存儲器系統中的高速緩存操作的各種定時圖。

圖14圖示了跨模塊而被分布的涉及標簽匹配的電路。

圖15A至圖15I圖示了用于各種存儲器模塊配置的配置分類法，這些存儲器模塊配置利用SCM存儲器部件和DRAM存儲器部件二者。

圖16A至圖16F圖示了用于圖15A中所示的存儲器模塊配置的各種高速緩存操作。

圖17A至圖17F圖示了用于圖15B中所示的存儲器模塊配置的各種高速緩存操作。

圖18A至圖18F圖示了用于圖15C中所示的存儲器模塊配置的各種高速緩存操作。

圖19A至圖19F圖示了用于圖15D中所示的存儲器模塊配置的各種高速緩存操作。

圖20A至圖20F圖示了用于圖15E中所示的存儲器模塊配置的各種高速緩存操作。

圖21A至圖21F圖示了用于圖15F中所示的存儲器模塊配置的各種高速緩存操作。

圖22A至圖22F圖示了用于圖15I中所示的存儲器模塊配置的各種高速緩存操作。

圖23A至圖23F圖示了用于圖15I中所示的存儲器模塊配置的各種高速緩存操作。