[發明專利]固態成像器件封裝和制造方法,及電子裝置在審
| 申請號: | 201680057429.1 | 申請日: | 2016-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN108140648A | 公開(公告)日: | 2018-06-08 |
| 發明(設計)人: | 穗刈澄夫;福田圭基 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;H01L23/02;H04N5/225;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態成像元件 芯片 封裝 防護玻璃 成像元件芯片 固態成像器件 高質量圖像 透鏡 插入基板 電子器件 電子裝置 光接收面 結構形成 框架表面 框架結構 突出形狀 外部環境 光透射 光照射 光轉換 開口部 脊部 粘結 成像 密封 制造 應用 | ||
本公開涉及能夠成像高質量圖像的固態成像元件封裝、其制造方法及電子器件。該固態成像元件封裝設置有:固態成像元件芯片,將透鏡獲取的光轉換為電信號;插入基板,固定固態成像元件芯片;框架,具有圍繞固態成像元件芯片并且防止固態成像元件芯片的光接收面被不必要的光照射的框架結構;及光透射防護玻璃,至少保護固態成像元件芯片免受外部環境的影響。在粘結至防護玻璃的框架表面上,具有突出形狀的脊部結構形成在框架的開口部的整個周圍上。本技術可應用于例如,成像元件芯片密封在其中的固態成像元件封裝。
技術領域
本公開涉及固態成像器件封裝和制造方法,及電子裝置。更具體地,本公開涉及被設計成捕獲更高質量的圖像的固態成像器件封裝和制造方法,及電子裝置。
背景技術
在具有成像功能的傳統的電子裝置(諸如數碼相機或者數碼攝像機)中,使用如電荷耦合器件(CCD)或者互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器的固態成像器件。
容納在陶瓷中的固態成像器件封裝等整合至電子裝置中,這種固態成像器件廣泛用于數碼相機、攝像機、移動電話等中。另外,近年來,這種電子裝置的尺寸明顯變小并且能夠高質量成像。在這種趨勢下,要求作為這種電子裝置的重要組件的固態成像器件封裝尺寸變小并且捕獲較高質量的圖像。
例如,本申請的申請人已建議一成像器件封裝,其中,以基板、支撐件、及光學構件密封容納成像器件芯片的空間(例如,參見專利文獻1)。
引用列表
專利文獻
專利文獻1:日本專利申請公開第2008-245244號
發明內容
發明解決的問題
然而,在專利文獻1中公開的上述成像器件封裝中,存在圖像質量由于粘合劑所引起的不規則反射而可能劣化的可能性,該粘合劑使支撐件和光學構件彼此粘結。
本公開是鑒于這些情況作出的,并且能夠捕獲較高質量的圖像。
問題的解決方案
根據本公開的一個方面的固態成像器件封裝,包括:固態成像器件芯片,將透鏡取得的光轉換為電信號;插入基板,固定所述固態成像器件芯片;具有框架結構的框架,圍繞所述固態成像器件芯片并且防止不必要的光照射至所述固態成像器件芯片的光接收面上;以及防護玻璃,至少保護所述固態成像器件芯片免受外部環境的影響并且透過光。在固態成像器件封裝中,在所述框架的與所述防護玻璃接觸的粘附表面上,橫亙所述框架的開口部的整個周圍形成凸起形狀的堤結構。
根據本公開的一個方面的制造方法是制造固態成像器件封裝的方法,所述固態成像器件封裝包括:固態成像器件芯片,將透鏡取得的光轉換為電信號;插入基板,固定所述固態成像器件芯片;具有框架結構的框架,圍繞所述固態成像器件芯片并且防止不必要的光照射至所述固態成像器件芯片的光接收面上;防護玻璃,至少保護所述固態成像器件芯片免受外部環境的影響并且透過光;以及在所述框架的與所述防護玻璃接觸的粘附表面上,橫亙所述框架的開口部的整個周圍形成凸起形狀的堤結構。所述制造方法包括以使粘合劑進入在所述防護玻璃與所述框架之間通過所述堤結構所設置的間隙的方式涂布所述粘合劑。
根據本公開的一個方面的電子裝置,包括:根據本公開的一個方面的固態成像器件封裝,包括:固態成像器件芯片,將透鏡取得的光轉換為電信號;插入基板,固定所述固態成像器件芯片;具有框架結構的框架,圍繞所述固態成像器件芯片并且防止不必要的光照射至所述固態成像器件芯片的光接收面上;以及防護玻璃,至少保護所述固態成像器件芯片免受外部環境的影響并且透過光。在固態成像器件封裝中,在所述框架的與所述防護玻璃接觸的粘附表面上,橫亙所述框架的開口部的整個周圍形成凸起形狀的堤結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





