[發(fā)明專利]薄膜化合物太陽(yáng)電池、薄膜化合物太陽(yáng)電池的制造方法、薄膜化合物太陽(yáng)電池陣列及薄膜化合物太陽(yáng)電池陣列的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680056708.6 | 申請(qǐng)日: | 2016-09-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108140679A | 公開(公告)日: | 2018-06-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高本達(dá)也 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 夏普株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224;H01L31/043;H01L31/0468;H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飛亞;習(xí)冬梅 |
| 地址: | 日本國(guó)大*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化合物太陽(yáng)電池 層疊體 光接收 薄膜 電池主體 第三電極 第一表面 電池層 接觸層 相反側(cè) 化合物半導(dǎo)體層 第二表面 第二電極 第一電極 樹脂膜 制造 | ||
本發(fā)明是一種薄膜化合物太陽(yáng)電池,其包括:電池主體;以及樹脂膜,形成在電池主體的光接收側(cè)的相反側(cè),此電池主體包括:太陽(yáng)電池層疊體,由多個(gè)化合物半導(dǎo)體層構(gòu)成;第一電極,形成于太陽(yáng)電池層疊體的光接收側(cè)的第一表面的一部分,且具有第一極性;第二電極,形成于太陽(yáng)電池層疊體的光接收側(cè)的與第一表面不同的第二表面,且具有第二極性;以及第三電極,形成于太陽(yáng)電池層疊體的光接收側(cè)的相反側(cè)的表面的一部分,且具有第二極性;太陽(yáng)電池層疊體包含具有PN結(jié)層的電池層與形成于此電池層的光接收面相反側(cè)的表面的一部分的接觸層;第三電極形成在接觸層上。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)對(duì)于2015年9月28日提出的日本專利特愿2015-189365號(hào)主張優(yōu)先權(quán)的利益,通過(guò)參照其,使其全部?jī)?nèi)容包含于本說(shuō)明書中。
本發(fā)明涉及一種薄膜化合物太陽(yáng)電池、薄膜化合物太陽(yáng)電池的制造方法、薄膜化合物太陽(yáng)電池陣列及薄膜化合物太陽(yáng)電池陣列的制造方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的薄膜化合物太陽(yáng)電池的制造方法是通過(guò)蝕刻或外延剝離(Epitaxiallift-off)來(lái)除去基板。
利用蝕刻除去基板的過(guò)程(process)例如已公開于日本專利第5554772號(hào)(專利文獻(xiàn)1)。在專利文獻(xiàn)1中記載了如下方法:在基板上形成由多個(gè)化合物半導(dǎo)體層構(gòu)成的電池主體,在電池主體上形成背面電極,在背面電極上形成作為基材的背面膜,在背面膜上安裝加強(qiáng)材料,從電池主體分離基板。
外延剝離是指在基板與化合物半導(dǎo)體層之間制作犧牲層,通過(guò)蝕刻液除去此犧牲層,由此,分離基板與化合物半導(dǎo)體層。例如在日本專利特表2014-523132號(hào)(專利文獻(xiàn)2)及日本專利第5576243號(hào)(專利文獻(xiàn)3)中公開了外延剝離過(guò)程。
在專利文獻(xiàn)2中記載了執(zhí)行外延剝離處理的方法,此外延剝離處理包含:使一個(gè)以上的第一保護(hù)層在第一基板上生長(zhǎng);使AlAs層生長(zhǎng);使一個(gè)以上的第二保護(hù)層生長(zhǎng);在第二保護(hù)層上堆積至少一個(gè)活性光伏性電池層;利用金屬覆蓋活性光伏性電池層的上部;利用金屬覆蓋第二基板;將兩個(gè)金屬表面彼此壓緊而冷焊接合;以及利用選擇性化學(xué)蝕刻來(lái)除去AlAs層。此外,在專利文獻(xiàn)3中記載了包含如下工序的III-V化合物薄膜太陽(yáng)電池的加工方法,此工序是指在活性層上,直接與此活性層接觸地形成金屬襯里層(backing layer),從所述活性層與所述基板之間除去所述犧牲層,以從所述基板分離III-V化合物薄膜太陽(yáng)電池。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文件
專利文獻(xiàn)1:日本專利第5554772號(hào)
專利文獻(xiàn)2:日本專利特表2014-523132號(hào)
專利文獻(xiàn)3:日本專利第5576243號(hào)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
專利文獻(xiàn)1的背面電極全面性地形成在電池主體上。專利文獻(xiàn)2的經(jīng)過(guò)冷焊接合后的金屬層全面性地形成在活性光伏性電池層的上部。專利文獻(xiàn)3的金屬襯里層全面性地形成在活性層上。因此,利用這些方法制造出的太陽(yáng)電池并未成為使光透射至光接收面的相反側(cè)的結(jié)構(gòu)。
因此,存在如下問題,即,無(wú)法應(yīng)用專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2及專利文獻(xiàn)3所記載的方法于制造雙面采光型太陽(yáng)電池或機(jī)械堆疊(mechanical stack)的上部太陽(yáng)電池。
本發(fā)明是鑒于如上所述的現(xiàn)狀而成的發(fā)明,其目的在于提供使光透射至光接收面的相反側(cè)的薄膜化合物太陽(yáng)電池及薄膜化合物太陽(yáng)電池陣列。
解決問題的手段
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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