[發明專利]薄膜化合物太陽電池、薄膜化合物太陽電池的制造方法、薄膜化合物太陽電池陣列及薄膜化合物太陽電池陣列的制造方法

在審

• 申請號: 201680056708.6
• 申請日: 2016-09-15
• 公開（公告）號: CN108140679A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 高本達也
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/043;H01L31/0468;H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/0749;H01L31/18
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞;習冬梅

1.一種薄膜化合物太陽電池，其特征在于，具備：

電池主體；以及

樹脂膜，形成在所述電池主體的光接收側的相反側，

所述電池主體包含：

太陽電池層疊體，由多個化合物半導體層構成；

第一電極，形成于所述太陽電池層疊體的光接收側的第一表面的一部分，且具有第一極性；

第二電極，形成于所述太陽電池層疊體的光接收側的與所述第一表面不同的第二表面，且具有第二極性；以及

第三電極，形成于所述太陽電池層疊體的光接收側的相反側的表面的一部分，且具有第二極性；

所述太陽電池層疊體包含具有PN結層的電池層與形成于所述電池層的光接收面相反側的表面的一部分的接觸層，

所述第三電極形成在所述接觸層上。

2.根據權利要求1所述的薄膜化合物太陽電池，其特征在于：

所述電池層具有窗口層、基極層、發射極層及背面電場層，

所述第二表面為所述背面電場層的表面。

3.根據權利要求1所述的薄膜化合物太陽電池，其特征在于：

所述第二表面為所述接觸層的表面。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的薄膜化合物太陽電池，其特征在于：

所述PN結層由GaAs系化合物半導體構成。

5.一種薄膜化合物太陽電池陣列，其特征在于，具備：

薄膜化合物太陽電池串，具備多個權利要求1至4中任一項所述的薄膜化合物太陽電池，這些薄膜化合物太陽電池彼此電連接；

表面保護部件，配置于所述薄膜化合物太陽電池串的光接收側；以及

背面保護部件，配置于所述薄膜化合物太陽電池串的光接收側的相反側。

6.根據權利要求5所述的薄膜化合物太陽電池陣列，其特征在于：

在所述背面保護部件的光接收側的相反側還具備太陽電池模塊。

7.根據權利要求6所述的薄膜化合物太陽電池陣列，其特征在于：

所述太陽電池模塊為CIGS系太陽電池模塊。

8.一種薄膜化合物太陽電池的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

通過在半導體基板上層疊多個化合物半導體層，形成包含具有PN結層的電池層與層疊在所述電池層上的接觸層的太陽電池層疊體；

使所述接觸層圖案化；

在所述接觸層上形成第三電極；

在所述太陽電池層疊體及所述第三電極上形成樹脂膜；

除去所述半導體基板；

在由除去所述半導體基板的工序形成的所述太陽電池層疊體的第一表面的一部分形成第一電極；

通過除去所述太陽電池層疊體的一部分，在所述太陽電池層疊體上形成第二表面；以及

在所述第二表面上形成第二電極。

9.一種薄膜化合物太陽電池陣列的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

在權利要求5所述的薄膜化合物太陽電池陣列的光接收側的相反側配置CIGS系太陽電池模塊；以及

將所述薄膜化合物太陽電池陣列與所述CIGS系太陽電池模塊電連接。