[發(fā)明專利]超高模量與蝕刻選擇性的硼-碳硬掩模膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680056619.1
• 申請日: 2016-08-11
• 公開（公告）號: CN108140545B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設計）人: P·K·庫爾施拉希薩;段子青;K·T·納拉辛哈;K·D·李;金柏涵
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23C16/36;C23C16/24
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;金紅蓮

1.一種處理基板的方法，包含以下步驟：

使含烴氣體混合物流動至具有基板定位于內的處理腔室的處理容積，其中所述基板經加熱達400℃至700℃的基板溫度；

使含硼氣體混合物流動至所述處理容積；以及

在所述處理容積內產生RF等離子體，以于所述經加熱基板上沉積硼-碳膜，其中所述硼-碳膜具有200至400 GPa的彈性模量、-100 MPa至100 MPa的應力和大于2.5的折射率（n）。

2.如權利要求1所述的方法，進一步包含以下步驟：在所述處理容積內產生所述RF等離子體前，在預定RF開啟延遲時間段內穩(wěn)定所述處理容積中的壓力。

3.如權利要求2所述的方法，進一步包含以下步驟：在所述預定RF開啟延遲時間段屆滿后，在所述處理容積內產生所述RF等離子體。

4.如權利要求2所述的方法，其中所述預定RF開啟延遲時間段是固定時間延遲并定義為在使所述含硼氣體混合物流動至所述處理容積與產生所述RF等離子體之間的時間段。

5.如權利要求2所述的方法，其中所述預定RF開啟延遲時間段的長度經選擇使得所述含硼氣體混合物在所述處理容積中不會開始熱分解或實質熱分解。

6.如權利要求2所述的方法，其中所述預定RF開啟延遲時間段為0.1秒至5秒之間。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述處理容積中的壓力為12托耳至15托耳之間。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述基板溫度為550℃至650℃。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述硼-碳膜具有大于1.5克/立方厘米的密度（g/cc）。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述含硼氣體混合物進一步包含至少20%的氫氣。

11.如權利要求1所述的方法，其中所述硼-碳膜具有至少55原子%的硼。

12.如權利要求11所述的方法，其中所述硼-碳膜含有1原子%至45原子%之間的下列一者或更多者：氫、氧、碳和氮。

13.如權利要求12所述的方法，其中所述硼-碳膜含有少于20原子%的氫。

14.一種處理基板的方法，包含以下步驟：

使含烴氣體混合物流動至具有基板定位于內的處理腔室的處理容積，其中所述基板經加熱達400℃至700℃的基板溫度，其中所述含烴氣體混合物包含丙烯（C₃H₆）；

使含硼氣體混合物流動至所述處理容積，其中所述含硼氣體混合物包含二硼烷（B₂H₆）；及

在所述處理容積內產生RF等離子體，以于所述經加熱基板上沉積硼-碳膜，其中所述硼-碳膜具有200至400 GPa的彈性模量、-100 MPa至100 MPa的應力和大于2.5的折射率（n）。