[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680055999.7 | 申請日: | 2016-02-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108140577B | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 出口善宣;渡邊彰信 | 申請(專利權(quán))人: | 瑞薩電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/3205 | 分類號(hào): | H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 陳偉;王娟娟 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件,具有:
具有焊盤的半導(dǎo)體芯片;
與所述半導(dǎo)體芯片的所述焊盤電連接的銅導(dǎo)線;和
將所述半導(dǎo)體芯片及所述銅導(dǎo)線封固的封固樹脂部,
所述半導(dǎo)體器件的特征在于,
所述半導(dǎo)體芯片具有:
半導(dǎo)體襯底,在所述半導(dǎo)體襯底的主面上形成有半導(dǎo)體元件;和
形成在所述半導(dǎo)體襯底的主面上的、包含多個(gè)絕緣膜和多個(gè)布線層的布線構(gòu)造,
所述多個(gè)布線層中的最上方的第1布線層包含所述焊盤,
所述焊盤具有用于接合所述銅導(dǎo)線的第1區(qū)域、和用于使探針接觸的第2區(qū)域,
所述多個(gè)布線層中的比所述第1布線層低一層的第2布線層包含配置在所述焊盤的正下方的第1布線,
所述第1布線配置在所述焊盤的除所述第1區(qū)域以外的區(qū)域的正下方,
在所述焊盤的所述第1區(qū)域的正下方,沒有形成與所述第1布線同層的導(dǎo)體圖案,
所述第1布線配置在所述焊盤的所述第2區(qū)域的正下方,
所述半導(dǎo)體元件配置在所述第1區(qū)域及所述第2區(qū)域的正下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
所述多個(gè)布線層中的比所述第2布線層低一層的第3布線層包含配置在所述焊盤的正下方的第2布線及第3布線,
所述第2布線配置在所述焊盤的所述第1區(qū)域的正下方,
所述第3布線配置在所述焊盤的除所述第1區(qū)域以外的區(qū)域的正下方。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
所述第3布線配置在所述焊盤的所述第2區(qū)域的正下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
所述第1布線是電源布線或接地布線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
所述半導(dǎo)體芯片中,所述焊盤沿著所述半導(dǎo)體芯片的上表面的第1邊排列有多個(gè),
所述第1布線在多個(gè)所述焊盤之下延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
多個(gè)所述焊盤的所述第2區(qū)域彼此在沿著所述第1邊的方向上排列成一列,
所述第1布線在多個(gè)所述焊盤的所述第2區(qū)域之下呈直線延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
多個(gè)所述焊盤的所述第1區(qū)域彼此在沿著所述第1邊的方向上排列成一列。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
在多個(gè)所述焊盤中混合存在有第1焊盤和第2焊盤,其中所述第1焊盤的所述第1區(qū)域比所述第1焊盤的所述第2區(qū)域接近所述第1邊,所述第2焊盤的所述第2區(qū)域比所述第2焊盤的所述第1區(qū)域接近所述第1邊,
所述第2焊盤與所述第1邊之間的距離大于所述第1焊盤與所述第1邊之間的距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
在多個(gè)所述焊盤中混合存在有第1焊盤和第2焊盤,其中所述第1焊盤的所述第1區(qū)域比所述第1焊盤的所述第2區(qū)域接近所述第1邊,所述第2焊盤的所述第2區(qū)域比所述第2焊盤的所述第1區(qū)域接近所述第1邊。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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