[發明專利]對象物的處理方法、暫時固定用組合物、半導體裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201680055127.0 | 申請日: | 2016-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN108369892B | 公開(公告)日: | 2022-07-05 |
| 發明(設計)人: | 森隆;水野光 | 申請(專利權)人: | JSR株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;C09J161/18 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 彭雪瑞;臧建明 |
| 地址: | 日本東京港*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 對象 處理 方法 暫時 固定 組合 半導體 裝置 及其 制造 | ||
本發明提供一種在經由暫時固定材將處理對象物暫時固定于支撐體上的狀態下進行對象物的加工·移動處理,繼而利用光照射分離法將支撐體與對象物分離的方法,可防止所述對象物的光劣化。一種對象物的處理方法,包括:形成層疊體的步驟,所述層疊體具有支撐體、包含層(I)的暫時固定材、以及處理對象物,所述層(I)含有具有結構單元(A1)的聚合物(A);對處理對象物進行加工、和/或使層疊體移動的步驟;自支撐體側對層(I)照射光的步驟;以及將支撐體與處理對象物分離的步驟。[式(A1)中,Ar為縮合多環芳香族環;R1為氫原子或碳數1~20的烴基;R2為鹵素原子或碳數1~20的烴基;R3為氫原子或有機基;a為1以上的整數,b為0以上的整數。]
技術領域
本發明涉及一種對象物的處理方法、暫時固定用組合物、半導體裝置及其制造方法。
背景技術
提出有:在經由暫時固定材將半導體晶片等處理對象物粘接于玻璃基板等支撐體上的狀態下,對對象物進行背面研磨及感光蝕刻加工(photofabrication)等加工處理的方法。對于所述暫時固定材而言必需的是:在加工處理中可將對象物暫時固定于支撐體上,在加工處理后可將支撐體與對象物容易地分離。
提出有:在所述分離處理中,通過對具有支撐體、暫時固定材以及對象物的層疊體中的所述暫時固定材照射紫外線及紅外線等放射能量,使暫時固定材的接著力降低,繼而將支撐體與對象物分離的方法(參照專利文獻1~專利文獻3)。以下還將對暫時固定材進行光照射并使其接著力降低后將支撐體與對象物分離的方法、或者一面進行光照射一面將支撐體與對象物分離的方法稱為“光照射分離法”。
專利文獻1~專利文獻3中揭示有光照射分離法中所使用的暫時固定材。此處,專利文獻1的所述暫時固定材具有粘接層及剝離層,專利文獻2的所述暫時固定材具有接著層、以及含有具有光吸收性的聚合物的分離層,專利文獻3的所述暫時固定材具有粘著層、光阻擋層及光熱轉換層。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:美國公開專利第2014/0106473號公報
專利文獻2:日本專利特開2012-106486號公報
專利文獻3:日本專利特開2011-076767號公報
發明內容
發明所要解決的問題
加工對象物有時會因光照射分離法中所使用的光而劣化,因此,必須通過使分離層吸收所述光,來防止所述光到達對象物而防止對象物劣化。然而,分離層因加工處理中的熱而劣化,其結果存在如下問題:分離層無法充分吸收所述光,所述光到達對象物。
本發明的問題在于提供一種在經由暫時固定材將處理對象物暫時固定于支撐體上的狀態下進行對象物的加工·移動處理,繼而利用光照射分離法將支撐體與對象物分離的方法,可防止所述對象物的光劣化。
解決問題的技術手段
本發明人等人為了解決所述課題而進行了努力研究。其結果發現利用具有以下構成的對象物的處理方法可解決所述課題,從而完成了本發明。
即,本發明例如涉及以下的[1]~[16]。
[1]一種對象物的處理方法,包括:(1)形成層疊體的步驟,所述層疊體具有支撐體、暫時固定材以及對象物,此處,所述暫時固定材包含層(I),且所述對象物保持于所述暫時固定材上,所述層(I)含有具有下述式(A1)所示的結構單元的聚合物(A);(2)對所述對象物進行加工、和/或使所述層疊體移動的步驟;(3)自所述支撐體側對所述層(I)照射光的步驟;以及(4)將所述支撐體與所述對象物分離的步驟。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





