[發(fā)明專利]對(duì)象物的處理方法、暫時(shí)固定用組合物、半導(dǎo)體裝置及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680055127.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-07-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108369892B | 公開(公告)日: | 2022-07-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 森隆;水野光 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | JSR株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;C09J161/18 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 彭雪瑞;臧建明 |
| 地址: | 日本東京港*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 對(duì)象 處理 方法 暫時(shí) 固定 組合 半導(dǎo)體 裝置 及其 制造 | ||
1.一種對(duì)象物的處理方法,其特征在于,包括:
(1)形成層疊體的步驟,所述層疊體具有支撐體、暫時(shí)固定材以及對(duì)象物,此處,所述暫時(shí)固定材包含層(I),且所述對(duì)象物保持于所述暫時(shí)固定材上,所述層(I)含有具有下述式(A2)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物(A);
(2)對(duì)所述對(duì)象物進(jìn)行加工、和/或使所述層疊體移動(dòng)的步驟;
(3)自所述支撐體側(cè)對(duì)所述層(I)照射光的步驟;以及
(4)將所述支撐體與所述對(duì)象物分離的步驟,
式(A2)中,
Ar為縮合多環(huán)芳香族環(huán);
-OR1為鍵結(jié)于所述縮合多環(huán)芳香族環(huán)上的基,R1為氫原子或碳數(shù)1~20的烴基,-OR1在存在多個(gè)的情況下,可彼此相同也可不同;
R2為鍵結(jié)于所述縮合多環(huán)芳香族環(huán)上的基,為鹵素原子或碳數(shù)1~20的烴基,R2在存在多個(gè)的情況下,可彼此相同也可不同;
R3為氫原子或有機(jī)基,R3可彼此相同也可不同;
a1為2以上的整數(shù),b為0以上的整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)象物的處理方法,其中所述暫時(shí)固定材進(jìn)而包含接著劑層(II)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)象物的處理方法,其中所述層疊體依照所述支撐體、所述層(I)、所述接著劑層(II)及所述對(duì)象物的順序而具有所述各要素。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的對(duì)象物的處理方法,其中在所述步驟(1)中,在所述暫時(shí)固定材上形成至少具有配線層的所述對(duì)象物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的對(duì)象物的處理方法,其中所述步驟(2)中的加工包含將選自半導(dǎo)體晶片及半導(dǎo)體芯片中的至少一種配置于所述配線層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的對(duì)象物的處理方法,其中所述步驟(3)中的光為紫外線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的對(duì)象物的處理方法,其中所述紫外線為波長300nm~400nm的紫外線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的對(duì)象物的處理方法,其中所述層(I)的厚度為0.1μm~500μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的對(duì)象物的處理方法,其中所述式(A2)中的所述縮合多環(huán)芳香族環(huán)為萘環(huán)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的對(duì)象物的處理方法,其中所述式(A2)中的R1為氫原子或炔基。
11.一種暫時(shí)固定用組合物,其特征在于,含有具有下述式(A2)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物(A),
式(A2)中,
Ar為縮合多環(huán)芳香族環(huán);
-OR1為鍵結(jié)于所述縮合多環(huán)芳香族環(huán)上的基,R1為氫原子或碳數(shù)1~20的烴基,-OR1在存在多個(gè)的情況下,可彼此相同也可不同;
R2為鍵結(jié)于所述縮合多環(huán)芳香族環(huán)上的基,為鹵素原子或碳數(shù)1~20的烴基,R2在存在多個(gè)的情況下,可彼此相同也可不同;
R3為氫原子或有機(jī)基,R3可彼此相同也可不同;
a1為2以上的整數(shù),b為0以上的整數(shù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的暫時(shí)固定用組合物,其進(jìn)而含有溶劑。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的暫時(shí)固定用組合物,其中所述暫時(shí)固定用組合物的固體成分100質(zhì)量%中所含的所述聚合物(A)的含有比例為50質(zhì)量%以上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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