[發明專利]用于SRAM應用的單端位線電流讀出放大器

有效

• 申請號: 201680053778.6
• 申請日: 2016-09-01
• 公開（公告）號: CN108028057B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: A·福里特斯徹;S·卡爾亞楠蘇德拉曼;M·B·庫格爾;J·皮利爾
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: G11C7/02
• 分類號: G11C7/02
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 邊海梅

1.電流感測讀出放大器，用作存儲器單元組的存儲器布置中的讀出放大器，其中在每個所述存儲器單元組中，單元包括至少一個通過位線連接到讀出放大器的讀端口，并且其中所述讀出放大器連接到數據輸出端，所述電流感測讀出放大器包括：

電壓調節器，用于將位線電壓保持在電源電壓以下且高于地的恒定電壓電平；

測量電路，用于檢測輸入信號中的高電流值和低電流值；

發生器，用于當檢測到所述高電流值時產生高電壓電平輸出信號，并且當檢測到所述低電流值時產生低電壓電平輸出信號；和

配置單元，用于利用與讀取存儲器單元的字線信號同相或者反相的信號來啟用或禁用所述測量電路。

2.如權利要求1所述的電流感測讀出放大器，還包括調整電路以調整所述恒定電壓電平。

3.根據權利要求1所述的電流感測讀出放大器，還包括調整電路，用于調整所述測量電路的泄漏電流抗擾度。

4.如權利要求1所述的電流感測讀出放大器，還包括調整電路以調整所述測量電路的工作點。

5.如權利要求1所述的電流感測讀出放大器，還包括用于重置所述測量電路的重置電路。

6.根據權利要求1所述的電流感測讀出放大器，其進一步包括存儲器電路，以存儲所述高電壓電平輸出信號或存儲所述低電壓電平輸出信號。

7.如權利要求6所述的電流感測讀出放大器，還包括復位電路以復位所述存儲器電路。

8.一種存儲器電路，包括：

至少一個存儲器單元，所述存儲器單元包括至少一個讀出端口；和電流感測讀出放大器；

其中所述至少一個存儲器單元通過所述至少一個讀出端口連接到所述電流感測讀出放大器，并且，所述電流感測讀出放大器包括：

電壓調節器，用于將位線電壓保持在電源電壓以下且高于地的恒定電壓電平；

測量電路，用于檢測輸入信號中的高電流值和低電流值；發生器，用于當檢測到所述高電流值時產生高電壓電平輸出信號，并且當檢測到所述低電流值時產生低電壓電平輸出信號；和

配置單元，用于利用與讀取存儲器單元的字線信號同相或者反相的信號來啟用或禁用所述測量電路。

9.根據權利要求8所述的存儲器電路，其中所述電流感測讀出放大器進一步包含調整電路以調整所述恒定電壓電平。

10.根據權利要求8所述的存儲器電路，其中，所述電流感測讀出放大器進一步包括調整電路以調整所述測量電路的泄漏電流抗擾度。

11.根據權利要求8所述的存儲器電路，其中所述電流感測讀出放大器進一步包含調整電路以調整所述測量電路的操作點。

12.根據權利要求8所述的存儲器電路，其中所述電流感測讀出放大器進一步包括復位所述測量電路的復位電路。

13.根據權利要求8所述的存儲器電路，其中所述電流感測讀出放大器進一步包含存儲器電路，以存儲所述高電壓電平輸出信號或存儲所述低電壓電平輸出信號。

14.根據權利要求13所述的存儲器電路，其中所述電流感測讀出放大器進一步包括復位所述存儲器電路的復位電路。

15.根據權利要求8所述的存儲器電路，其中所述至少一個存儲器單元是靜態隨機存取存儲器(SRAM)單元。

16.根據權利要求15所述的存儲器電路，其中所述SRAM單元是8T SRAM單元。

17.根據權利要求15所述的存儲器電路，其中所述SRAM單元是6T SRAM單元。