[發明專利]偽雙端口存儲器

有效

• 申請號: 201680053088.0
• 申請日: 2016-08-16
• 公開（公告）號: CN108027787B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: T·C·Y·郭;N·N·德塞;晶昌鎬
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16;G11C7/22
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;杜波

1.一種存儲器，包括：

多個存儲器單元，被配置為在第一模式下在存儲器周期中支持讀取操作和寫入操作以及在第二模式下在所述存儲器周期中支持只寫操作；以及

控制電路，被配置為生成用于所述讀取操作的讀取時鐘和用于所述寫入操作的寫入時鐘，所述讀取時鐘與所述寫入時鐘分開，其中所述控制電路包括：讀取時鐘電路，被配置為響應于在所述第一模式下的所述存儲器周期的開始而生成所述讀取時鐘，并且在所述讀取操作完成時重置所述讀取時鐘；以及寫入時鐘電路，包括：第一電路，所述第一電路的輸出被配置為響應于所述存儲器周期的開始而被設置，并在所述寫入操作完成時被重置；以及第二電路，所述第二電路被配置為：在所述第一模式下在所述第一電路的輸出被設置并且所述讀取時鐘處于重置狀態時、以及在所述第二模式下所述存儲器周期的開始時，生成所述寫入時鐘。

2.根據權利要求1所述的存儲器，其中所述控制電路還被配置為：通過響應于在所述第一模式下所述讀取時鐘的重置而設置所述寫入時鐘來生成所述寫入時鐘。

3.根據權利要求1所述的存儲器，其中所述控制電路還被配置為：通過響應于在所述第二模式下所述存儲器周期的開始而設置所述寫入時鐘來生成所述寫入時鐘。

4.根據權利要求1所述的存儲器，其中所述寫入時鐘電路還被配置為當所述寫入操作完成時重置所述寫入時鐘。

5.根據權利要求1所述的存儲器，其中：

所述第一電路包括鎖存器；并且

所述第二電路包括用于選通所述第一電路的輸出和所述讀取時鐘的邏輯。

6.一種訪問存儲器的方法，所述存儲器包括多個存儲器單元，所述多個存儲器單元被配置為在第一模式下在存儲器周期中支持讀取操作和寫入操作以及在第二模式下在所述存儲器周期中支持只寫操作，所述方法包括：

在所述第一模式下，生成用于所述讀取操作的讀取時鐘和用于所述寫入操作的寫入時鐘，其中所述寫入時鐘響應于在所述第一模式下所述讀取時鐘的重置而被生成，所述讀取時鐘與所述寫入時鐘分開，其中生成所述寫入時鐘包括：響應于所述存儲器周期的開始而設置輸出，以及在所述寫入操作完成時重置所述輸出；以及在所述第一模式下，在所述輸出被設置并且所述讀取時鐘處于復位狀態時，設置所述寫入時鐘；以及

在所述第二模式下，響應于所述存儲器周期的開始來生成用于所述寫入操作的寫入時鐘。

7.根據權利要求6所述的方法，其中：

在所述第一模式下生成所述讀取時鐘包括：響應于所述存儲器周期的開始來設置所述讀取時鐘，以及當所述讀取操作完成時重置所述讀取時鐘；并且

在所述第一模式下生成所述寫入時鐘包括：響應于所述讀取時鐘的重置來設置所述寫入時鐘，以及當所述寫入操作完成時重置所述寫入時鐘。

8.根據權利要求6所述的方法，其中在所述第二模式下生成所述寫入時鐘包括：響應于所述存儲器周期的開始來設置所述寫入時鐘，以及當所述寫入操作完成時重置所述寫入時鐘。

9.一種存儲器，包括：

多個存儲器單元，被配置為在第一模式下在存儲器周期中支持讀取操作和寫入操作以及在第二模式下在所述存儲器周期中支持只寫操作；以及

控制電路，被配置為生成用于所述讀取操作的讀取時鐘和用于所述寫入操作的寫入時鐘，所述讀取時鐘與所述寫入時鐘分開，其中所述控制電路包括：讀取時鐘電路，被配置為響應于在所述第一模式下的所述存儲器周期的開始而生成所述讀取時鐘，并且在所述讀取操作完成時重置所述讀取時鐘；以及寫入時鐘電路，被配置為響應于在所述第一模式下所述讀取時鐘的重置、以及在所述第二模式下所述存儲器周期的開始，生成所述寫入時鐘，其中在所述第一模式下，所述寫入時鐘的定時是所述讀取時鐘的定時的函數，并且其中與在所述第一模式下相比，在所述第二模式下所述寫入時鐘在所述存儲器周期中較早地出現。