[發(fā)明專利]偽雙端口存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680053088.0
• 申請日: 2016-08-16
• 公開（公告）號: CN108027787B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設計）人: T·C·Y·郭;N·N·德塞;晶昌鎬
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16;G11C7/22
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;杜波

公開了存儲器和用于訪問存儲器的方法的各方面。存儲器包括多個存儲器單元，其被配置為在第一模式下在存儲器周期中支持讀取操作和寫入操作以及第二模式下在存儲器周期中支持只寫操作。存儲器還包括被配置為生成用于讀取操作的讀取時鐘和用于寫入操作的寫入時鐘的控制電路。在第一模式下寫入時鐘的定時是讀取時鐘的定時的函數(shù)，并且在第二模式下是存儲器周期的定時。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2015年9月15日提交的標題為“PSEUDO DUAL PORT MEMORY”的美國專利申請第14/855,319號的權益，其全部內(nèi)容通過引用明確并入本文。

技術領域

本公開總體上涉及集成電路，并且更具體地涉及偽雙端口(PDP)存儲器。

背景技術

雙端口存儲器在單個時鐘周期內(nèi)處理讀取操作和寫入操作兩者。雙端口存儲器通常包括與存儲器單元陣列一起操作的兩個端口，存儲器單元陣列可以從兩個端口被同時訪問。

為了減少存儲器占用的面積，可以使用偽雙端口(PDP)存儲器來代替雙端口存儲器。PDP存儲器的核心是單核存儲器，其提供單個存儲器訪問，而不是像雙端口存儲器那樣提供兩個同時的存儲器訪問。然而，PDP存儲器被配置為通過在存儲器周期中順序地執(zhí)行兩個存儲器訪問來模擬雙端口存儲器。例如，在特定的存儲器周期中，PDP存儲器可以執(zhí)行讀取操作，并且然后執(zhí)行寫入操作。

發(fā)明內(nèi)容

公開了一種存儲器的各方面。存儲器包括多個存儲器單元，被配置為在第一模式下在存儲器周期中支持讀取操作和寫入操作以及第二模式下在存儲器周期中支持只寫操作。存儲器還包括控制電路，被配置為生成用于讀取操作的讀取時鐘和用于寫入操作的寫入時鐘。寫入時鐘響應于在第一模式下讀取時鐘的重置和在第二模式下存儲器周期的開始而被生成。

公開了一種訪問存儲器的方法的各方面。存儲器包括多個存儲器單元，被配置為在第一模式下在存儲器周期中支持讀取操作和寫入操作以及在第二模式下在存儲器周期中支持只寫操作。該方法包括：在第一模式下生成用于讀取操作的讀取時鐘和用于寫入操作的寫入時鐘，其中寫入時鐘響應于在第一模式下讀取時鐘的重置而被生成；以及在第二模式下響應于存儲器周期的開始來生成用于寫入操作的寫入時鐘。

公開了一種存儲器的進一步的方面。存儲器包括多個存儲器單元，被配置為在第一模式下在存儲器周期中支持讀取操作和寫入操作以及在第二模式下在存儲器周期中支持只寫操作。存儲器還包括控制電路，被配置為生成用于讀取操作的讀取時鐘和用于寫入操作的寫入時鐘。在第一模式下，寫入時鐘的定時是讀取時鐘的定時的函數(shù)。與在第一模式下相比，寫入時鐘在第二模式下在存儲器周期中較早地出現(xiàn)。

公開了一種存儲器的進一步的方面。存儲器包括多個存儲器單元，被配置為在第一模式下在存儲器周期中支持讀取操作和寫入操作以及在第二模式下在存儲器周期中支持只寫操作。存儲器還包括控制電路，被配置為生成用于讀取操作的讀取時鐘和用于寫入操作的寫入時鐘。寫入時鐘響應于在第一模式下讀取時鐘的重置而被生成。與在第一模式下相比，寫入時鐘在第二模式下在存儲器周期中較早地出現(xiàn)。

基于以下詳細描述，本文中描述的裝置的其他方面對于本領域技術人員而言將變得顯而易見，其中存儲器的各個方面以示例的方式被示出和描述。這些方面可以以很多不同的形式來實現(xiàn)，并且在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下，其細節(jié)可以以各種方式來修改。因此，本文中提供的附圖和詳細描述本質(zhì)上被認為是說明性的，而不是限制權利要求的范圍。

附圖說明

現(xiàn)在將參考附圖在詳細描述中以示例而非限制的方式給出存儲器的各個方面，在附圖中：

圖1是靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的示例性實施例的功能框圖。

圖2是用于SRAM的存儲器單元的示例性實施例的示意圖。