[發明專利]玻璃上無源器件（POG）裝置和方法

在審

• 申請號: 201680052823.6
• 申請日: 2016-07-29
• 公開（公告）號: CN108028244A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: J-H·J·蘭;N·S·穆達卡特;C·H·蕓;D·D·金;左丞杰;D·F·伯迪;M·F·維勒茲;金鐘海
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

一種裝置包括玻璃襯底和電容器。電容器包括耦合至第一電極的第一金屬，電介質結構，以及包括電容器的第二電極的通孔結構。第一金屬結構由電介質結構與通孔結構分離。

優先權的要求

本申請要求享有共同所有的2015年9月14日提交的美國非臨時專利申請No.14/853,701的優先權，該申請的內容在此通過全文引用的方式整體并入本文。

技術領域

本公開總體涉及一種玻璃上無源器件(POG)裝置。

背景技術

射頻(RF)濾波器可以包括集成無源器件(IPD)，諸如玻璃上無源器件(POG)裝置(例如電容器和/或電感器)。常規的電容器可以使用具有作為IPD制造工藝的一部分的6個掩模步驟的工藝而形成。IPD制造工藝中使用的每個掩模增加了工藝循環時間、復雜性以及形成IPD的成本。

發明內容

在一個特定方面中，一種裝置包括玻璃襯底和電容器。電容器包括：包括第一電極的第一金屬結構、電介質結構、以及包括第二電極的通孔結構。第一金屬結構由電介質結構與通孔結構分離。

在另一特定方面中，一種方法包括在玻璃襯底上形成無源器件的第一金屬結構并沉積第一電介質材料。方法進一步包括平坦化第一電介質材料以形成第一電介質層并在第一電介質層中形成空腔以暴露無源器件的電介質結構的表面。電介質結構位于第一金屬結構上。方法也包括在電介質結構上形成無源器件的第二金屬結構。

在另一特定方面中，一種方法包括形成第一無源器件的第一金屬結構以及第二無源器件的第二金屬結構。方法進一步包括在玻璃襯底上沉積第一電介質材料。方法也包括平坦化第一電介質材料以形成第一電介質層。方法包括在第一電介質層中形成第一空腔以暴露第一無源器件的電介質結構的第一表面以及形成第二空腔以暴露第二金屬結構的第二表面。電介質結構位于第一金屬結構上。方法也包括在電介質結構上形成第一無源器件的第三金屬結構以及在第二金屬結構上形成第二無源器件的第四金屬結構。

在審閱整個申請包括附圖說明、具體實施方式和權利要求的以下部分之后，本公開的其他方面、優點和特征將變得明顯。

附圖說明

圖1是具有無源器件的電子裝置的特定示意性方面的裝置結構的截面圖；

圖2是圖1的電子裝置的電容器的特定示意性示例的截面圖；

圖3A-圖3F是制造圖1的電子裝置的工藝流程的示意性示例的圖；

圖4A-圖4E是制造圖1的電子裝置的工藝流程的示意性示例的圖；

圖5是形成圖1的電子裝置的方法的特定示意性方面的流程圖；

圖6是形成圖1的電子裝置的另一方法的特定示意性方面的流程圖；

圖7是形成圖1的電子裝置的另一方法的特定示意性方面的流程圖；

圖8是包括圖1的電子裝置的電子裝置的方框圖；以及

圖9是用于制造包括圖1的電子裝置的電子裝置的制造工藝的特定示意性方面的數據流程圖。

具體實施方式

以下參照附圖描述本公開的特別方面。在說明書中，由共同參考數字標記共同特征。