[發明專利]玻璃上無源器件（POG）裝置和方法

在審

• 申請號: 201680052823.6
• 申請日: 2016-07-29
• 公開（公告）號: CN108028244A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: J-H·J·蘭;N·S·穆達卡特;C·H·蕓;D·D·金;左丞杰;D·F·伯迪;M·F·維勒茲;金鐘海
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種裝置，包括：

玻璃襯底；以及

電容器，耦合至所述玻璃襯底，所述電容器包括：

第一金屬結構，對應于第一電極；

電介質結構；以及

通孔結構，包括第二電極，所述第一金屬結構由所述電介質結構與所述通孔結構分離。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述第一金屬結構對應于金屬1(M1)層，以及其中所述通孔結構對應于通孔1(V1)層。

3.根據權利要求2所述的裝置，其中，所述通孔結構物理耦合至金屬2(M2)層，以及其中所述通孔結構位于所述金屬1(M1)層與所述金屬2(M2)層之間。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述第一金屬結構和所述通孔結構包括銅，以及其中所述電介質結構包括五氧化鉭(Ta2O5)、氮化硅(SiN)、二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al2O5)、或其組合。

5.根據權利要求1所述的裝置，進一步包括種子層，所述種子層位于所述電介質結構與所述通孔結構之間。

6.根據權利要求1所述的裝置，進一步包括電介質層，所述電介質層與所述電介質結構不同，其中所述電介質層與所述電介質結構以及所述通孔結構接觸。

7.根據權利要求1所述的裝置，進一步包括電感器，所述電感器耦合至所述玻璃襯底，所述電感器包括：

第二金屬結構，所述第二金屬結構包括所述電感器的下置通道；

第二通孔結構，耦合至所述第二金屬結構；以及

第三金屬結構，所述第三金屬結構包括所述電感器的繞組，所述第二通孔結構位于所述第二金屬結構與所述第三金屬結構之間。

8.根據權利要求7所述的裝置，其中，所述第二金屬結構對應于金屬1(M1)層，其中所述第二通孔結構對應于通孔1(V1)層，以及其中所述第三金屬結構對應于金屬2(M2)層。

9.一種形成無源器件的方法，所述方法包括：

形成無源器件的第一金屬結構；

在玻璃襯底上沉積第一電介質材料；

平坦化所述第一電介質材料以形成第一電介質層；

在所述第一電介質層中形成空腔以暴露所述無源器件的電介質結構的表面，所述電介質結構位于所述第一金屬結構上；以及

在所述電介質結構上形成所述無源器件的第二金屬結構。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述無源器件包括玻璃上無源器件(POG)裝置。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，所述無源器件包括金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器。

12.根據權利要求9所述的方法，其中，所述第一金屬結構被形成在所述玻璃襯底的表面上。

13.根據權利要求9所述的方法，其中，所述第一金屬結構對應于電容器的第一極板。

14.根據權利要求9所述的方法，進一步包括，在所述第一金屬結構之上形成所述電介質結構。

15.根據權利要求9所述的方法，進一步包括，在形成所述第二金屬結構之后，刻蝕種子材料以形成種子層，所述種子層位于所述第二金屬結構和所述電介質結構之間。

16.根據權利要求9所述的方法，其中，所述無源器件包括位于所述第二金屬結構和所述電介質結構之間的單個種子層。