[發(fā)明專利]混合模式深度檢測(cè)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680051716.1 | 申請(qǐng)日: | 2016-08-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108027441B | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | P·瑟凡·維斯瓦納坦 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 微視公司 |
| 主分類號(hào): | G01S17/894 | 分類號(hào): | G01S17/894;G01S7/481;G01S17/08 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 魯山;孫志湧 |
| 地址: | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 混合 模式 深度 檢測(cè) | ||
簡(jiǎn)而言之,根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例,一種用于實(shí)現(xiàn)混合模式深度檢測(cè)的MEMS激光束顯示器包括:成像引擎,其用于將圖像投影到所述MEMS激光束顯示器的視場(chǎng)中;飛行時(shí)間(TOF)深度檢測(cè)器(114),其用于確定第一深度檢測(cè)模式下與所述視場(chǎng)內(nèi)的目標(biāo)的距離,其中,所述TOF深度檢測(cè)器確定所述目標(biāo)的粗略深度數(shù)據(jù);以及結(jié)構(gòu)化光深度檢測(cè)器(116),其用于確定第二深度檢測(cè)模式下與所述目標(biāo)的距離,其中,所述結(jié)構(gòu)化光深度檢測(cè)器確定所述目標(biāo)的精密深度數(shù)據(jù)。深度處理電路可生成目標(biāo)的復(fù)合三維(3D)圖像,或者可識(shí)別目標(biāo)的姿勢(shì)區(qū)域用于姿勢(shì)識(shí)別。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及混合模式深度檢測(cè),特別是涉及MEMS激光束顯示器和獲得目標(biāo)的三維圖像的方法。
背景技術(shù)
可利用用于深度檢測(cè)的飛行時(shí)間(time of flight、TOF)方法來(lái)確定目標(biāo)距顯示器或其他裝置的深度或距離。微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)激光束顯示器可裝入調(diào)制紅外(IR)光源,用于在掃描周期中的預(yù)定時(shí)隙期間將多個(gè)詢問(wèn)脈沖調(diào)度到目標(biāo)上。檢測(cè)被反射的脈沖,并且確定脈沖觸發(fā)和返回脈沖之間的時(shí)間差(飛行時(shí)間)。可使用光速來(lái)計(jì)算往返距離,使得能確定距目標(biāo)的深度或距離。利用空間上分離的高速率的IR詢問(wèn)脈沖,當(dāng)使用掃描參數(shù)進(jìn)行光柵化時(shí)計(jì)算出的深度數(shù)據(jù)產(chǎn)生顯示視場(chǎng)(FOV)或FOV中的可通過(guò)編程方式確定的子區(qū)域的深度圖。深度圖的空間分辨率會(huì)受IR脈沖和TOF檢測(cè)器電路中的累積等待時(shí)間以及顯示器的掃描參數(shù)的限制。為了獲得較高分辨率的精密深度圖,會(huì)需要多個(gè)IR激光二極管和/或接收電路中的組件副本??晒┻x擇地,利用單個(gè)IR激光束進(jìn)行過(guò)采樣可產(chǎn)生更高分辨率的深度圖,但是將會(huì)增加處理等待時(shí)間(減小深度圖采集的幀速率)并且阻礙FOV中的低等待時(shí)間姿勢(shì)識(shí)別。一般來(lái)說(shuō),姿勢(shì)識(shí)別和3D圖像捕獲可得益于低等待時(shí)間較高分辨率的深度圖,而無(wú)需上述方法中的開銷。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的一個(gè)實(shí)施例涉及一種MEMS激光束顯示器,包括:基于MEMS的投影儀,其包括MEMS掃描引擎,所述MEMS掃描引擎被配置為用于將圖像投影到所述MEMS激光束顯示器的視場(chǎng)中的目標(biāo)之上;飛行時(shí)間TOF深度檢測(cè)器,所述飛行時(shí)間TOF深度檢測(cè)器被配置為用于接收由所述投影儀發(fā)射的光束從所述目標(biāo)的反射,以在第一深度檢測(cè)模式下經(jīng)由飛行時(shí)間計(jì)算來(lái)確定與所述視場(chǎng)內(nèi)的所述目標(biāo)的距離,其中,所述飛行時(shí)間TOF深度檢測(cè)器確定所述目標(biāo)的粗略深度數(shù)據(jù);深度處理電路,所述深度處理電路被配置為用于從所述粗略深度數(shù)據(jù)來(lái)識(shí)別所述視場(chǎng)內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)化光區(qū)域,其中,所述一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)化光區(qū)域僅包括所述視場(chǎng)的一部分,并且其中,至少一個(gè)結(jié)構(gòu)化光圖案被投影在所識(shí)別的一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)化光區(qū)域中;結(jié)構(gòu)化光深度檢測(cè)器,所述結(jié)構(gòu)化光深度檢測(cè)器被配置為用于檢測(cè)所述至少一個(gè)結(jié)構(gòu)化光圖案從所述目標(biāo)的反射,以在第二深度檢測(cè)模式下確定與所述目標(biāo)的距離,其中,所述結(jié)構(gòu)化光深度檢測(cè)器確定在所識(shí)別的一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)化光區(qū)域中的所述目標(biāo)的精密深度數(shù)據(jù);并且其中,所述深度處理電路還被配置為用于使用所述粗略深度數(shù)據(jù)和所述精密深度數(shù)據(jù)的組合來(lái)生成所述目標(biāo)的復(fù)合三維3D圖像。
附圖說(shuō)明
在說(shuō)明書的結(jié)論部分中特別指出并且清楚地聲明要求保護(hù)的主題。然而,可通過(guò)參照以下利用附圖閱讀的詳細(xì)描述來(lái)理解此主題,在附圖中:
圖1是根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例的利用混合模式深度檢測(cè)的MEMS激光束顯示器的框圖;
圖2是圖1的MEMS激光束顯示器的框圖,示出了根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例的混合模式深度檢測(cè)電路的附加細(xì)節(jié);
圖3是圖1的顯示器的等距圖,示出了根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例的MEMS激光束顯示器的視場(chǎng)內(nèi)的目標(biāo)的混合模式深度檢測(cè);
圖4A至圖4F是圖1的MEMS激光束顯示器的視場(chǎng)的示圖,圖示了根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例的在視場(chǎng)中的各個(gè)區(qū)域上使用第一模式和第二模式的目標(biāo)的深度檢測(cè);
圖5是圖1的MEMS激光束顯示器的視場(chǎng)的示圖,圖示了根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例的在視場(chǎng)內(nèi)的目標(biāo)的選定區(qū)域中的姿勢(shì)識(shí)別;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于微視公司,未經(jīng)微視公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201680051716.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G01S 無(wú)線電定向;無(wú)線電導(dǎo)航;采用無(wú)線電波測(cè)距或測(cè)速;采用無(wú)線電波的反射或再輻射的定位或存在檢測(cè);采用其他波的類似裝置
G01S17-00 應(yīng)用除無(wú)線電波外的電磁波的反射或再輻射系統(tǒng),例如,激光雷達(dá)系統(tǒng)
G01S17-02 .應(yīng)用除無(wú)線電波外的電磁波反射的系統(tǒng)
G01S17-66 .應(yīng)用除無(wú)線電波外的電磁波的跟蹤系統(tǒng)
G01S17-74 .應(yīng)用除無(wú)線電波外的電磁波的再輻射系統(tǒng),例如IFF,即敵我識(shí)別
G01S17-87 .應(yīng)用除無(wú)線電波外電磁波的系統(tǒng)的組合
G01S17-88 .專門適用于特定應(yīng)用的激光雷達(dá)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
- 檢測(cè)方法、檢測(cè)裝置和檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法以及記錄介質(zhì)
- 檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)設(shè)備及檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)組件、檢測(cè)裝置以及檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法及檢測(cè)程序
- 檢測(cè)電路、檢測(cè)裝置及檢測(cè)系統(tǒng)





