[發(fā)明專利]使用多射束工具的反向散射電子(BSE)成像

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680051709.1
• 申請日: 2016-09-21
• 公開（公告）號: CN108028209B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·麥科德;R·西蒙斯;D·馬斯納蓋蒂;R·克尼彭邁耶
• 申請（專利權(quán)）人: 科磊股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 張世俊

本發(fā)明揭示多射束掃描電子顯微鏡檢驗系統(tǒng)。多射束掃描電子顯微鏡檢驗系統(tǒng)可包含電子源及小射束控制機(jī)構(gòu)。所述小射束控制機(jī)構(gòu)可經(jīng)配置以利用由所述電子源提供的電子而產(chǎn)生多個小射束且在某個時刻朝向目標(biāo)遞送所述多個小射束中的一者。所述多射束掃描電子顯微鏡檢驗系統(tǒng)還可包含檢測器，其經(jīng)配置以至少部分基于反向散射出所述目標(biāo)的電子而產(chǎn)生所述目標(biāo)的圖像。

相關(guān)申請案的交叉參考

本申請案根據(jù)35U.S.C.§119(e)主張2015年9月23日申請的第62/222,351號美國臨時申請案的權(quán)益。所述第62/222,351號美國臨時申請案的全文特此以引用的方式并入本文中。

本申請案涉及同在申請中及共同待決的具有科磊(KLA Tencor)公司檔案號碼P4779且標(biāo)題為“多射束暗場成像(Multi-Beam Dark Field Imaging)”并將道格拉斯·馬沙娜特(Douglas Masnaghetti)等人列為發(fā)明者的美國專利申請案第(待被分配)，所述專利申請案的全文以引用的方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體上涉及檢驗系統(tǒng)領(lǐng)域，且尤其涉及電子射束檢驗系統(tǒng)。

背景技術(shù)

薄拋光板(例如硅晶片及類似物)是現(xiàn)代技術(shù)的非常重要的部分。例如，晶片可指代集成電路及其它裝置的制造中所使用的半導(dǎo)體材料的薄片。晶片經(jīng)受缺陷檢驗，且掃描電子顯微鏡(SEM)檢驗被認(rèn)為是晶片缺陷檢驗的最敏感的形式中的一者。

掃描電子顯微鏡(SEM)是通過使用聚焦電子射束掃描目標(biāo)(例如，晶片)來產(chǎn)生所述目標(biāo)的圖像的類型的電子顯微鏡。電子與目標(biāo)中的原子相互作用，從而產(chǎn)生含有關(guān)于所述目標(biāo)的表面形貌及組合物的信息的各種信號。應(yīng)注意，可通過增加聚焦電子射束的數(shù)目(提供被稱為多射束SEM的SEM)來增加SEM的處理量。然而，還應(yīng)注意，利用多聚焦電子射束使反向散射電子(BSE)成像復(fù)雜化。因此，BSE成像不受當(dāng)前可用多射束SEM支持。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明涉及一種設(shè)備。所述設(shè)備可包含電子源及小射束控制機(jī)構(gòu)。所述小射束控制機(jī)構(gòu)可經(jīng)配置以利用由所述電子源提供的電子而產(chǎn)生多個小射束且在某個時刻朝向目標(biāo)遞送所述多個小射束中的一者。所述設(shè)備還可包含檢測器，其經(jīng)配置以至少部分基于反向散射出所述目標(biāo)的電子而產(chǎn)生所述目標(biāo)的圖像。

本發(fā)明的進(jìn)一步實施例涉及一種設(shè)備。所述設(shè)備可包含電子源及小射束控制機(jī)構(gòu)。所述小射束控制機(jī)構(gòu)可經(jīng)配置以利用由所述電子源提供的電子而產(chǎn)生多個小射束且在某個時刻朝向目標(biāo)遞送所述多個小射束中的一者。所述設(shè)備還可包含檢測器陣列，其對應(yīng)于所述多個小射束。所述檢測器陣列可經(jīng)配置以至少部分基于反向散射出所述目標(biāo)的電子而產(chǎn)生所述目標(biāo)的圖像。

本發(fā)明的額外實施例涉及一種設(shè)備。所述設(shè)備可包含電子源及小射束控制機(jī)構(gòu)。所述小射束控制機(jī)構(gòu)可經(jīng)配置以利用由所述電子源提供的電子而產(chǎn)生多個小射束且在第一時刻遞送所述多個小射束的第一小射束朝向目標(biāo)且在第二時刻遞送所述多個小射束的第二小射束朝向所述目標(biāo)。所述設(shè)備還可包含檢測器，其經(jīng)配置以至少部分基于反向散射出所述目標(biāo)的電子而產(chǎn)生所述目標(biāo)的圖像。

應(yīng)了解，以上一般描述及以下詳細(xì)描述兩者僅供示范及解釋且不一定限制本發(fā)明。并入本說明書中且構(gòu)成本說明書的部分的附圖說明本發(fā)明的目標(biāo)。描述及圖式一起用于說明本發(fā)明的原理。

附圖說明

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員通過參考附圖可更好地了解本發(fā)明的眾多優(yōu)點。

圖1是描述簡化多射束SEM檢驗系統(tǒng)的說明；

圖2是描述根據(jù)本發(fā)明的實施例而配置的多射束SEM檢驗系統(tǒng)的說明；

圖3是描述根據(jù)本發(fā)明的實施例而配置的另一多射束SEM檢驗系統(tǒng)的說明；

圖4是描述根據(jù)本發(fā)明的實施例而配置的另一多射束SEM檢驗系統(tǒng)的說明；