[發(fā)明專利]使用多射束工具的反向散射電子(BSE)成像有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680051709.1 | 申請日: | 2016-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN108028209B | 公開(公告)日: | 2022-10-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | M·麥科德;R·西蒙斯;D·馬斯納蓋蒂;R·克尼彭邁耶 | 申請(專利權(quán))人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 使用 多射束 工具 反向 散射 電子 bse 成像 | ||
1.一種電子射束檢驗(yàn)系統(tǒng),其包括:
電子源;
小射束控制機(jī)構(gòu),其經(jīng)配置以利用由所述電子源提供的電子而產(chǎn)生多個(gè)小射束,所述小射束控制機(jī)構(gòu)進(jìn)一步經(jīng)配置以在某個(gè)時(shí)刻朝向目標(biāo)遞送所述多個(gè)小射束中的一者;及
檢測器,其經(jīng)配置以至少部分基于反向散射出所述目標(biāo)的電子而產(chǎn)生所述目標(biāo)的圖像,
其中所述檢測器進(jìn)一步經(jīng)配置以針對在兩個(gè)或多于兩個(gè)時(shí)刻朝向所述目標(biāo)所遞送的兩個(gè)或多于兩個(gè)小射束接收反向散射出所述目標(biāo)的電子,其中所述檢測器進(jìn)一步經(jīng)配置以至少部分基于所接收的反向散射出所述目標(biāo)的所述電子的總和而產(chǎn)生所述目標(biāo)的所述圖像。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子射束檢驗(yàn)系統(tǒng),其中所述小射束控制機(jī)構(gòu)包括可相對于多射束孔陣列移動(dòng)的單孔板,其中利用所述單孔板與界定于所述多射束孔陣列上的孔陣列中的一者的對準(zhǔn)來朝向所述目標(biāo)遞送所述多個(gè)小射束中的一者。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子射束檢驗(yàn)系統(tǒng),其中所述小射束控制機(jī)構(gòu)包括消隱裝置陣列,其經(jīng)界定以對應(yīng)于界定于多射束孔陣列上的孔陣列,其中利用所述消隱裝置陣列的選擇性接合及分離來朝向所述目標(biāo)遞送所述多個(gè)小射束中的一者。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子射束檢驗(yàn)系統(tǒng),其中所述小射束控制機(jī)構(gòu)包括多射束孔陣列,其中消隱裝置并入界定于所述多射束孔陣列上的每一孔內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子射束檢驗(yàn)系統(tǒng),其中所述目標(biāo)的所述圖像包含所述目標(biāo)的反向散射電子BSE圖像。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子射束檢驗(yàn)系統(tǒng),其進(jìn)一步包括:
能量過濾器,其經(jīng)配置以選擇性地阻止所述檢測器接收在所述多個(gè)小射束中的一者被遞送到所述目標(biāo)時(shí)所產(chǎn)生的次級電子。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子射束檢驗(yàn)系統(tǒng),其中所述能量過濾器經(jīng)配置以阻止除最高能量反向散射電子之外的所有反向散射電子到達(dá)所述檢測器。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子射束檢驗(yàn)系統(tǒng),其中所述能量過濾器包含能量過濾器陣列。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子射束檢驗(yàn)系統(tǒng),其中所述能量過濾器包含大面積全局能量過濾器。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子射束檢驗(yàn)系統(tǒng),其中所述檢測器包含對應(yīng)于所述多個(gè)小射束的檢測器陣列。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子射束檢驗(yàn)系統(tǒng),其進(jìn)一步包括:
至少一個(gè)透鏡,其定位于所述電子源與所述小射束控制機(jī)構(gòu)之間,所述至少一個(gè)透鏡經(jīng)配置以使由所述電子源提供的所述電子聚焦到所述小射束控制機(jī)構(gòu)上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子射束檢驗(yàn)系統(tǒng),其進(jìn)一步包括:
至少一個(gè)偏轉(zhuǎn)器或透鏡,其經(jīng)配置以將所述多個(gè)小射束中的一或多者會(huì)聚到所述目標(biāo)上的單點(diǎn)。
13.一種電子射束檢驗(yàn)系統(tǒng),其包括:
電子源;
小射束控制機(jī)構(gòu),其經(jīng)配置以利用由所述電子源提供的電子而產(chǎn)生多個(gè)小射束,所述小射束控制機(jī)構(gòu)進(jìn)一步經(jīng)配置以在某個(gè)時(shí)刻朝向目標(biāo)遞送所述多個(gè)小射束中的一者;及
檢測器陣列,其對應(yīng)于所述多個(gè)小射束,所述檢測器陣列經(jīng)配置以至少部分基于反向散射出所述目標(biāo)的電子而產(chǎn)生所述目標(biāo)的圖像,
其中所述檢測器陣列進(jìn)一步經(jīng)配置以針對在兩個(gè)或多于兩個(gè)時(shí)刻朝向所述目標(biāo)所遞送的兩個(gè)或多于兩個(gè)小射束接收反向散射出所述目標(biāo)的電子,其中所述檢測器陣列進(jìn)一步經(jīng)配置以至少部分基于所接收的反向散射出所述目標(biāo)的所述電子的總和而產(chǎn)生所述目標(biāo)的所述圖像。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





