[發(fā)明專利]超導(dǎo)裝置和制造超導(dǎo)裝置的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680051203.0 | 申請日: | 2016-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN108139451B | 公開(公告)日: | 2021-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 維克托·梯克歐維科·佩特拉受維;克里斯多夫·切克雷 | 申請(專利權(quán))人: | 皇家霍洛威和貝德福德新學(xué)院 |
| 主分類號: | G01R33/035 | 分類號: | G01R33/035 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 江海;姚開麗 |
| 地址: | 英國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 超導(dǎo) 裝置 制造 方法 | ||
一種量子干涉裝置,包括被正常導(dǎo)體段中斷的超導(dǎo)環(huán)路和連接到正常導(dǎo)體段的干涉儀,其中,超導(dǎo)環(huán)路包括多個匝。所述匝可以是多個相鄰的瓣。線圈可以位于超導(dǎo)環(huán)路的瓣內(nèi)??蛇x地,橋接層(例如由金制成的橋接層)形成在襯底上方,以在橋接層上方形成的超導(dǎo)層(例如由鈮制成的超導(dǎo)層)和橋接層上方形成的正常導(dǎo)電層(例如由鈦制成的正常導(dǎo)電層)之間形成電接觸。橋接層使得該裝置由原本不相容的超導(dǎo)材料和普通導(dǎo)電材料形成??梢允沟免佌?dǎo)電層能夠在數(shù)年的時間內(nèi)氧化。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及超導(dǎo)裝置和制造超導(dǎo)裝置的方法。
背景技術(shù)
在WO 2012/007736 A1中公開了各種量子干涉裝置,其可以用作通量傳感器、晶體管或量子位。在所附的圖1和圖2中描繪了所述裝置的兩個示例。
在圖1的裝置中,量子干涉裝置50包括被正常導(dǎo)體段52中斷的超導(dǎo)環(huán)路51,該正常導(dǎo)體段52在接合點53、54處連接到超導(dǎo)環(huán)路51。干涉儀55的兩個分支10連接到正常導(dǎo)體段52。兩個分支55a、55b連接到正常導(dǎo)體段52的中點以形成十字。
干涉儀的第一分支55a包括將正常引線57、58與正常導(dǎo)體段52分開的隔板56。干涉儀的第二分支55b包括連接到正常導(dǎo)體段52的正常支路59以及超導(dǎo)引線60、61。當(dāng)電流通過干涉儀55時,準(zhǔn)粒子從正常:超導(dǎo)界面53、54反射(安德列夫反射)。通過超導(dǎo)環(huán)路51的通量影響界面53和界面54之間的相位差,并因此在由兩個邊界反射的電子之間引起量子干涉。因此通過干涉儀55的電流I對通量Φ敏感。
在圖2的變體中,設(shè)置額外電流引線62、63以將干涉儀轉(zhuǎn)換為晶體管??绺缮鎯x的電導(dǎo)受超導(dǎo)線中的偏置電流Ib控制。
WO 2012/007736 A1教導(dǎo)了這樣的裝置的超導(dǎo)部件由鋁(Al)或鈮(Nb)制成。因為Al的自然氧化形成鈍化層,因此Al是有利的,但Nb具有更高的臨界溫度Tc。建議裝置的正常導(dǎo)電部件由鎂(Mg)、銻(Sb)、鉍(Bi)、碳納米管或石墨烯構(gòu)成。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供改進的量子干涉裝置。
根據(jù)本發(fā)明,提供了一種量子干涉裝置,該量子干涉裝置包括被正常導(dǎo)體段中斷的超導(dǎo)環(huán)路和連接到正常導(dǎo)體段的干涉儀,其中,超導(dǎo)環(huán)路包括多個匝。
根據(jù)本發(fā)明,提供了一種量子干涉裝置,該量子干涉裝置包括被正常導(dǎo)體段中斷的超導(dǎo)環(huán)路和連接正常導(dǎo)體段的干涉儀;其中,超導(dǎo)環(huán)路包括兩個或更多個瓣。
附圖說明
下面參照附圖進一步描述本發(fā)明的示例性實施例,在附圖中:
圖1描繪了本領(lǐng)域已知的量子干涉裝置;
圖2描繪了本領(lǐng)域已知的另一量子干涉裝置;
圖3描繪了在制造本領(lǐng)域已知的量子干涉裝置時出現(xiàn)的問題;
圖4描繪了本發(fā)明的實施例中的超導(dǎo)體和正常導(dǎo)體之間的接合點;
圖5描繪了本發(fā)明的實施例中的超導(dǎo)體和正常導(dǎo)體之間的另一接合點;
圖6示意性地描繪了根據(jù)本發(fā)明的實施例的量子干涉裝置;
圖7是圖6的量子干涉裝置的一部分的放大圖;
圖8示意性地描繪了根據(jù)本發(fā)明的實施例的量子干涉裝置;
圖9示意性地描繪了根據(jù)本發(fā)明的實施例的量子干涉裝置;
圖10示意性地描繪了根據(jù)本發(fā)明的實施例的量子干涉裝置;
圖11示意性地描繪了根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括量子干涉裝置的梯度儀;
圖12描繪了根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括量子干涉裝置的梯度儀的片上布置;
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