[發明專利]超導裝置和制造超導裝置的方法有效
| 申請號： | 201680051203.0 | 申請日： | 2016-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN108139451B | 公開（公告）日： | 2021-05-04 |
| 發明（設計）人： | 維克托·梯克歐維科·佩特拉受維;克里斯多夫·切克雷 | 申請（專利權）人： | 皇家霍洛威和貝德福德新學院 |
| 主分類號： | G01R33/035 | 分類號： | G01R33/035 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人： | 江海;姚開麗 |
| 地址： | 英國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 超導 裝置 制造 方法 | ||
1.一種量子干涉裝置，包括：被正常導體段中斷的超導環路；以及連接到所述正常導體段的干涉儀，其中，所述超導環路包括多個匝，其中，所述多個匝包括多個嵌套環路。
2.根據權利要求1所述的量子干涉裝置，其中，所述多個匝包括多個相鄰的瓣。
3.根據權利要求2所述的量子干涉裝置，還包括位于所述超導環路的瓣內的線圈。
4.根據權利要求3所述的量子干涉裝置，具有兩個瓣以及位于所述超導環路的每個瓣內的線圈。
5.根據權利要求3所述的量子干涉裝置，具有四個瓣以及位于所述超導環路的每個瓣內的線圈。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的量子干涉裝置，還包括在所述超導環路和所述正常導體段之間的接合點處的橋接層。
7.根據權利要求6所述的量子干涉裝置，其中，所述橋接層由從由金、銀、銅及其合金組成的組中選擇的金屬形成。
8.根據權利要求1-5中任一項所述的量子干涉裝置，其中，所述超導環路由從由鈮、鉛、鋁及其合金組成的組中選擇的金屬形成。
9.根據權利要求1-5中任一項所述的量子干涉裝置，其中，所述正常導體段由從由鈦、鋁及其合金組成的組中選擇的金屬形成。
10.根據權利要求9所述的量子干涉裝置，其中，所述正常導體段由在制造時厚度大于鈦的鈍化深度的鈦層形成。
11.根據權利要求10所述的量子干涉裝置，其中，所述厚度大于20nm加上鈦的所述鈍化深度。
12.根據權利要求10所述的量子干涉裝置，其中，所述厚度為40nm。
13.一種磁力計裝置，包括：根據權利要求4所述的量子干涉裝置；拾波線圈，所述拾波線圈連接到位于所述超導環路的一個瓣中的線圈；以及反饋電流源，所述反饋電流源連接到位于所述超導環路的另一瓣中的線圈。
14.根據權利要求13所述的磁力計裝置，還包括在所述超導環路和所述正常導體段之間的接合點處的橋接層。
15.根據權利要求14所述的磁力計裝置，其中，所述橋接層由從由金、銀、銅及其合金組成的組中選擇的金屬形成。
16.根據權利要求13所述的磁力計裝置，其中，所述超導環路由從由鈮、鉛、鋁及其合金組成的組中選擇的金屬形成。
17.根據權利要求13所述的磁力計裝置，其中，所述正常導體段由從由鈦、鋁及其合金組成的組中選擇的金屬形成。
18.根據權利要求17所述的磁力計裝置，其中，所述正常導體段由在制造時厚度大于鈦的鈍化深度的鈦層形成。
19.根據權利要求18所述的磁力計裝置，其中，所述厚度大于20nm加上鈦的所述鈍化深度。
20.根據權利要求18所述的磁力計裝置，其中，所述厚度為40nm。
21.一種梯度儀裝置，包括：根據權利要求5所述的量子干涉裝置；拾波線圈，所述拾波線圈連接到位于所述超導環路的兩個瓣中的線圈；以及反饋電流源，所述反饋電流源連接到位于所述超導環路的另外兩個瓣中的線圈。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于皇家霍洛威和貝德福德新學院，未經皇家霍洛威和貝德福德新學院許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201680051203.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
