[發明專利]處理裝置、濺射裝置和準直器

有效

• 申請號: 201680050892.3
• 申請日: 2016-12-19
• 公開（公告）號: CN107949654B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 竹內將勝;加藤視紅磨;青山德博;寺田貴洋;德田祥典
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;H01L21/285
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 高迪

根據一個實施例的處理裝置包括物體放置單元、源放置單元、準直器和溫度調節單元。物體放置單元被配置以供物體放置。源放置單元被布置在與物體放置單元分離的位置上，并且被配置以供粒子源放置，粒子源能夠朝向物體噴射粒子。準直器被配置為布置在物體放置單元與源放置單元之間，包括多個壁，并且設置有由所述多個壁形成并且從物體放置單元向源放置單元的方向延伸的通孔。溫度調節單元被配置為調節準直器的溫度。

技術領域

本發明的實施例涉及處理裝置、濺射裝置和準直器(callimator)。

背景技術

例如，用于在半導體晶片上形成金屬膜的濺射裝置包括用于調節待形成為膜的金屬粒子的方向的準直器。準直器包括形成多個通孔的壁，并且允許在基本垂直于諸如半導體晶片的待處理物體的方向上飛行的粒子穿過其中并且阻擋傾斜飛行的粒子。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：JP 2000-216092 A。

發明內容

本發明要解決的問題

在諸如濺射的處理中涉及各種條件，并且隨著該條件改變而處理的結果改變。

解決問題的手段

根據一個實施例的處理裝置包括物體放置單元、源放置單元、準直器和溫度調節單元。物體放置單元被配置以供物體放置。源放置單元被布置為與所述物體放置單元分離并且被配置以供粒子源放置，所述粒子源能夠朝向所述物體噴出粒子。所述準直器被配置為布置在所述物體放置單元與所述源放置單元之間，包括多個壁，并且設置有多個通孔，所述多個通孔由所述多個壁形成并且從物體放置單元向源放置單元的方向延伸。溫度調節單元被配置為調節準直器的溫度。

附圖說明

圖1是示意性地例示根據第一實施例的濺射裝置的截面圖。

圖2是例示第一實施例的準直器的平面圖。

圖3是沿著圖1的F3-F3例示第一實施例的濺射裝置的一部分的截面圖。

圖4是示意性地例示第一實施例的一個壁的透視圖。

圖5是示意性地例示第一實施例的一個壁的截面圖。

圖6是例示根據第二實施例的濺射裝置的一部分的截面圖。

圖7是示意性地例示根據第三實施例的濺射裝置的截面圖。

圖8是例示第三實施例的濺射裝置的一部分的截面圖。

具體實施方式

在下文中，將參照圖1至圖5描述第一實施例。在本說明書中，基本上，垂直向上方向被定義為向上方向，并且垂直向下方向被定義為向下方向。此外，在本說明書中，有時關于實施例的配置元件和元件的描述會寫入多個表達?？梢詫M行多個表達的配置元件和描述進行未被寫入的其他表達。此外，可以對未進行多個表達的配置元件和描述進行未被寫入的其他表達。

圖1是示意性例示根據第一實施例的濺射裝置1的截面圖。濺射裝置1是處理裝置的示例，并且例如可以稱為半導體制造裝置、制造裝置、加工裝置或裝置。

例如，濺射裝置1是用于執行磁控濺射的裝置。例如，濺射裝置1在半導體晶片2的表面上通過金屬粒子形成膜。例如，半導體晶片2是物體(object)的示例并且也可以被稱為對象(subject)。例如，濺射裝置1可以在其他對象上形成膜。