[發明專利]處理裝置和準直器

有效

• 申請號: 201680050880.0
• 申請日: 2016-12-19
• 公開（公告）號: CN107923036B
• 公開（公告）日: 2020-01-17
• 發明（設計）人: 加藤視紅磨;寺田貴洋;德田祥典;竹內將勝;青山德博
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 72002 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 戚宏梅

根據一個實施方式的處理裝置包括物體配置部、發生源配置部和準直器。所述物體配置部配置有物體。所述發生源配置部配置在從所述物體配置部離開的位置，并配置有能夠朝向所述物體釋放粒子的粒子發生源。所述準直器配置在所述物體配置部與所述發生源配置部之間，具有多個壁，并設置有由所述多個壁形成的多個通孔。所述多個壁具有面向所述通孔的第一內表面。所述第一內表面具有：第一部分，由能夠釋放所述粒子的第一材料制成；和第二部分，在第一方向上與所述第一部分并列，比所述第一部分更接近所述物體配置部，并且，由與所述第一材料不同的第二材料制成。

技術領域

本發明的實施方式涉及處理裝置和準直器。

背景技術

在例如半導體晶片上形成金屬膜的濺射裝置具有用于使待形成為膜的金屬粒子的方向對齊的準直器。準直器具有形成大量通孔的壁，允許在與待處理的物體大致垂直的方向上飛行的粒子(諸如半導體晶片)穿過，并且將傾斜地飛行的粒子阻擋。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：特開平7-316806號公報

發明內容

本發明要解決的問題

產生傾斜飛行的粒子可能會降低粒子的利用效率。

解決問題的手段

根據一個實施方式的處理裝置具有物體配置部、發生源配置部和準直器。所述物體配置部配置有物體。所述發生源配置部配置在從所述物體配置部離開的位置，并配置有能夠朝向所述物體釋放粒子的粒子發生源。所述準直器配置在所述物體配置部與所述發生源配置部之間，具有多個壁，并設置有多個通孔，該多個通孔由所述多個壁形成，并在從所述發生源配置部朝向所述物體配置部的第一方向上延伸。所述多個壁具有面向所述通孔的第一內表面。所述第一內表面具有：第一部分，由能夠釋放所述粒子的第一材料制成；和第二部分，在第一方向上與所述第一部分并列，比所述第一部分更接近所述物體配置部，并且，由與所述第一材料不同的第二材料制成。

附圖說明

圖1是示意性地例示根據第一實施方式的濺射裝置的橫截面圖。

圖2是例示第一實施方式的準直器的平面圖。

圖3是例示第一實施方式的濺射裝置的一部分的橫截面圖。

圖4是示意性地例示第一實施方式的準直器的一部分的橫截面圖。

圖5是例示根據第二實施方式的準直器的一部分的橫截面圖。

圖6是示意性地例示根據第三實施方式的準直器的一部分的橫截面圖。

具體實施方式

在下文中，將參照圖1至圖4描述第一實施方式。在本說明書中，基本上，鉛垂上方被定義為向上方向，并且鉛垂下方被定義為向下方向。此外，在本說明書中，關于實施方式的構成元素和該元素的描述有時會記載有多個表達。被進行了多個表達的構成元素和描述也可以進行未記載的其他表達。此外，未被進行多個表達的構成元素和描述也可以進行未被記載的其他表達。

圖1是示意性例示根據第一實施方式的濺射裝置1的橫截面圖。濺射裝置1是處理裝置的示例，例如也可以稱為半導體制造裝置、制造裝置、加工裝置或裝置。

例如，濺射裝置1是用于執行磁控管濺射的裝置。例如，濺射裝置1在半導體晶片2的表面上通過金屬粒子形成膜。半導體晶片2是物體的示例，例如也可以被稱為對象。例如，濺射裝置1可以在另一對象上形成膜。

濺射裝置1包括腔室11、靶12、平臺13、磁體14、屏蔽構件15、準直器16、泵17和儲罐18。靶12是粒子發生源的示例。準直器16例如也可以被稱為屏蔽部件、整流部件或方向調節部件。