[發明專利]發光器件和包含該發光器件的發光器件封裝

有效

• 申請號: 201680049969.5
• 申請日: 2016-08-25
• 公開（公告）號: CN107949920B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 樸修益;金珉成;成演準;李容京;崔光龍
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/26
• 分類號: H01L33/26;H01L33/36;H01L33/12
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;李玉鎖

實施例涉及一種發光器件，包括：發光結構，該發光結構包括第一導電半導體層、第二導電半導體層以及設置在第一導電半導體層和第二導電半導體層之間的有源層，并且該發光結構還包括多個第一凹部，該第一凹部構造為貫穿第二導電半導體層和有源層并且設置在第一導電半導體層的區域的一部分上；第一電極，電連接至在多個第一凹部內的第一導電半導體層；導電支撐基板，電連接至第一電極；第二電極，電連接到第二導電半導體層；以及絕緣層，設置在導電支撐基板和第二導電半導體層之間，其中，第二凹部貫穿第一導電半導體層、第二導電半導體層和有源層，并且設置在絕緣層的區域的一部分上。

技術領域

實施例涉及一種發光器件。

背景技術

諸如GaN和AlGaN之類的III-V族化合物半導體由于具有許多優點(例如寬且容易調節的帶隙能量)而廣泛用于光電子學、電子器件等。

特別地，使用III-V族或II-VI族化合物半導體的諸如發光二極管或激光二極管之類的發光器件通過器件材料和薄膜生長技術的發展可以實現各種顏色的光，例如紅光、綠光和藍光、以及紫外光，并且還可以通過使用熒光材料或通過組合顏色來實現具有高發光效率的白光。與現有的光源(例如，熒光燈和白熾燈)相比，這些發光器件具有低功耗、半永久性壽命、快響應速度、良好的安全性和環保性能的優點。

因此，發光器件的應用已經擴展到光通信裝置的發送模塊、可以替代構成液晶顯示器(LCD)設備的背光源的冷陰極熒光燈(CCFL)的發光二極管背光源、可替代熒光燈或白熾燈泡的白色發光二極管照明設備、車輛頭燈和信號燈。

發光器件設置有發光結構，該發光結構包括第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層，并且第一電極和第二電極分別設置在第一導電半導體層和第二導電半導體層上。發光器件發射具有由有源層的構成材料的固有能帶所確定的能量的光，在有源層中，通過第一導電半導體層注入的電子和通過第二導電半導體層注入的空穴彼此會合。從有源層發射的光可以根據有源層的構成材料的組份而改變，并且可以是藍光、紫外(UV)光、深紫外光等。

圖1是示出現有技術的發光器件的示圖。

圖1所示的垂直型發光器件，包括第一導電半導體層122、有源層124 和第二導電半導體層126的發光結構120設置在第二電極136上，并且第一電極132設置在第一導電半導體層122上。

在有源層124發光的現有技術的發光器件中，從有源層124發射的光可能被第一電極132吸收，這可能降低光提取效率。

發明內容

【技術問題】

實施例提供了具有增強的光提取效率的發光器件。

【技術方案】

為了克服上述問題，一個實施例提供了一種發光器件，該發光器件包括：發光結構，所述發光結構包括第一導電半導體層、第二導電半導體層以及設置在所述第一導電半導體層和所述第二導電半導體層之間的有源層，并且所述發光結構還包括多個第一凹部，所述第一凹部構造為貫穿所述第二導電半導體層和所述有源層并且位于所述第一導電半導體層的一部分中；第一電極，電連接至在所述多個第一凹部中的每一個內的第一導電半導體層；導電支撐基板，電連接至所述第一電極；第二電極，電連接到所述第二導電半導體層；以及絕緣層，設置在所述導電支撐基板和所述第二導電半導體層之間，其中，第二凹部貫穿所述第一導電半導體層、所述第二導電半導體層和所述有源層，并且位于所述絕緣層的一部分中。

另外，所述絕緣層可以設置成圍繞所述第一凹部延伸。

另外，所述第二凹部可以包括：光提取器下表面部，構造為形成所述第二凹部的下表面；第一光提取器側表面部，構造為形成所述第二凹部的一個側面；以及第二光提取器側表面部，構造為形成所述第二凹部的剩余側面。

另外，所述光提取器下表面部可以是所述絕緣層。