[發(fā)明專利]發(fā)光器件和包含該發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680049969.5
• 申請日: 2016-08-25
• 公開（公告）號(hào): CN107949920B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸修益;金珉成;成演準(zhǔn);李容京;崔光龍
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/26
• 分類號(hào): H01L33/26;H01L33/36;H01L33/12
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張?jiān)≡?李玉鎖

1.一種發(fā)光器件，包括：

發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及設(shè)置在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層，并且所述發(fā)光結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)第一凹部，所述第一凹部構(gòu)造為貫穿所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述有源層并且位于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的一部分中；

第一電極，電連接至在所述多個(gè)第一凹部中的每一個(gè)內(nèi)的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；

導(dǎo)電支撐基板，電連接至所述第一電極；

第二電極，電連接到所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及

絕緣層，設(shè)置在所述導(dǎo)電支撐基板和所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間，

其中，第二凹部貫穿所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述有源層，并且位于所述絕緣層的一部分中，

其中，所述第二凹部包括：

光提取器下表面部，構(gòu)造為形成所述第二凹部的下表面；

第一光提取器側(cè)表面部，構(gòu)造為形成所述第二凹部的一個(gè)側(cè)面；以及

第二光提取器側(cè)表面部，構(gòu)造為形成所述第二凹部的剩余側(cè)面，

其中，所述第一光提取器側(cè)表面部設(shè)置成具有相對于所述絕緣層的第一角度，以防止所述有源層中生成的光再次被吸收到所述第二光提取器側(cè)表面部中，

其中，所述第二凹部的光提取器下表面部為所述絕緣層的上表面，以及

其中，形成所述第二凹部的光提取器下表面部的所述絕緣層圍繞所述第一凹部延伸并形成所述第一凹部的側(cè)表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述光提取器下表面部設(shè)置成具有第一寬度，以提取所述有源層中產(chǎn)生的光。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述第一寬度等于或大于3μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一角度等于或小于80度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，每個(gè)第一凹部表面的第三寬度小于所述第一凹部與所述第一電極接觸的區(qū)域的第二寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)射UV-B或UV-C波長范圍內(nèi)的光。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層或所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層中，鋁的成份比率等于或大于40％。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第一光提取器側(cè)表面部和所述第二光提取器側(cè)表面部中的至少一個(gè)上形成粗糙部。