[發(fā)明專(zhuān)利]具有優(yōu)化電容的不透光焊盤(pán)結(jié)構(gòu)的X射線檢測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680049512.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-06-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107949912B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | M·格勒普爾;E·格德?tīng)?/a>;T·祖特普 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 西門(mén)子醫(yī)療有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/146 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 王茂華;杜波 |
| 地址: | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 優(yōu)化 電容 不透光 盤(pán)結(jié) 射線 檢測(cè)器 | ||
本發(fā)明涉及一種X射線檢測(cè)器(1),其包括襯底(23),襯底(23)具有在讀出觸點(diǎn)(57)和前置放大器(3)的輸入端之間的導(dǎo)電連接,讀出觸點(diǎn)(57)位于襯底(23)的頂側(cè)的區(qū)域中,前置放大器(3)位于集成電路的有源層(5)中。第一導(dǎo)電連接(17)設(shè)置在讀出觸點(diǎn)和第二導(dǎo)電連接(19)之間。襯底(23)的頂側(cè)處的第一光防護(hù)件(7)的表面大于透光區(qū)域(15)的表面,使得第一光防護(hù)件(7)的表面在沿表面法線的第一投影中覆蓋透光區(qū)域(15)的表面,透光區(qū)域(15)位于襯底中,在側(cè)向上由第二光防護(hù)件(9)界定。第二導(dǎo)電連接(19)設(shè)置在透光區(qū)域(15)的表面沿表面法線的第二投影內(nèi),并且在第二光防護(hù)件(9)的下方。第二導(dǎo)電連接(19)與前置放大器(3)之間的第三導(dǎo)電連接(21)設(shè)置在第二光防護(hù)件(9)的下方。前置放大器(3)的輸入端被保護(hù),以免受光的直接入射。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種X射線檢測(cè)器和一種醫(yī)學(xué)裝置。
背景技術(shù)
合適的直接轉(zhuǎn)換X射線檢測(cè)器可以用在X射線成像領(lǐng)域中,例如計(jì)算機(jī)斷層攝影術(shù)、血管造影術(shù)或射線照相術(shù)。X射線輻射或光子可以通過(guò)適當(dāng)?shù)膫鞲衅鞅晦D(zhuǎn)換為電脈沖。傳感器材料的示例包括CdTe、CZT、CdZnTeSe、CdTeSe、CdMnTe、InP、TlBr2、HgI2、GaAs等。電脈沖由評(píng)估電子器件(例如襯底中的集成電路(專(zhuān)用集成電路:ASIC))來(lái)分析。
在具有直接轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體傳感器的合適X射線檢測(cè)器中,通過(guò)在傳感器中吸收X射線量子而生成電子空穴對(duì)。電子空穴對(duì)被施加到該傳感器的電場(chǎng)分離。電荷在傳感器的兩側(cè)上的電極中引起電荷脈沖。在X射線檢測(cè)器的檢測(cè)器元件中,電荷脈沖從讀出觸點(diǎn)被傳送到檢測(cè)器元件的信號(hào)處理鏈的輸入端。該鏈的第一部件通常是前置放大器,例如電荷靈敏前置放大器或互阻抗放大器。前置放大器的輸入電容會(huì)影響其噪聲特性。前置放大器的輸入電容在功率消耗和傳遞函數(shù)方面也會(huì)影響前置放大器的設(shè)計(jì)。
標(biāo)準(zhǔn)的讀出觸點(diǎn)通常用于使用焊接連接(例如焊球)將傳感器連接到集成電路(ASIC)的輸入端。在這種情況下,出于穩(wěn)定性的原因,通孔連接通常被用來(lái)連接讀出觸點(diǎn)下方的一些或全部金屬層。通孔連接是一個(gè)穿孔。通孔連接表示導(dǎo)電連接。通孔連接可以在兩個(gè)金屬層或金屬化層之間提供導(dǎo)電連接。讀出觸點(diǎn)的直徑由悍球的大小確定,該悍球用作到傳感器的焊接連接。焊球被選擇為盡可能大,以便最大化傳感器和頂部金屬層之間的距離,并由此最小化讀出觸點(diǎn)和集成電路之間的電容。為了相對(duì)于集成電路中的鄰接導(dǎo)電路徑而減小讀出觸點(diǎn)下方的通孔連接的電容,可以在通孔連接周?chē)渲脽o(wú)金屬化區(qū)域。這兩種措施導(dǎo)致對(duì)讀出觸點(diǎn)及其下方結(jié)構(gòu)(例如,通孔連接和無(wú)金屬化區(qū)域)有很高的空間要求。在高度集成的像素電子器件的情況下,由于各個(gè)檢測(cè)器元件之間的距離較小,所以這些措施會(huì)帶來(lái)一定的問(wèn)題。此外,由于無(wú)金屬化區(qū)域,已經(jīng)穿透?jìng)鞲衅鞯墓饪赡苓M(jìn)入集成電路,并且影響模擬電子器件,例如前置放大器。例如,在靈敏模擬電路中,光可能產(chǎn)生電荷載流子。靈敏模擬放大器電路的響應(yīng)可能被改變并由此退化。因此,前置放大器的不透光輸入將是有利的。不透光的輸入是重要的,尤其是對(duì)于下述X射線檢測(cè)器而言更為重要:在該檢測(cè)器中,光(例如,UV光或可見(jiàn)光)可以到達(dá)傳感器的上表面。對(duì)不透光性的要求使得難以同時(shí)實(shí)現(xiàn)最小的輸入電容。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種X射線檢測(cè)器和一種醫(yī)學(xué)裝置,其允許前置放大器的不透光輸入和前置放大器的最小輸入電容。
該目的通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線檢測(cè)器和根據(jù)權(quán)利要求19所述的醫(yī)學(xué)裝置來(lái)創(chuàng)造性地實(shí)現(xiàn)。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





