[發(fā)明專利]具有優(yōu)化電容的不透光焊盤結(jié)構(gòu)的X射線檢測器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680049512.4 | 申請日: | 2016-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN107949912B | 公開(公告)日: | 2019-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | M·格勒普爾;E·格德爾;T·祖特普 | 申請(專利權(quán))人: | 西門子醫(yī)療有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 王茂華;杜波 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 優(yōu)化 電容 不透光 盤結(jié) 射線 檢測器 | ||
1.一種X射線檢測器(1),包括一個襯底(23),所述襯底(23)具有在一個讀出觸點(57)和一個前置放大器(3)的一個輸入端之間的一個導(dǎo)電連接,所述讀出觸點(57)具有經(jīng)由一個焊接連接而到達(dá)一個傳感器(53)的一個導(dǎo)電連接,所述讀出觸點(57)位于所述襯底(23)的頂側(cè)的區(qū)域中,所述前置放大器(3)位于一個集成電路的一個有源層(5)中,其中,
a.一個第一導(dǎo)電連接(17)被設(shè)置在所述讀出觸點和一個第二導(dǎo)電連接(19)之間,
b.所述襯底(23)的所述頂側(cè)處的一個第一光防護(hù)件(7)的表面大于一個透光區(qū)域(15)的表面,使得所述第一光防護(hù)件(7)的所述表面在沿表面法線的第一投影中覆蓋所述透光區(qū)域(15)的所述表面,所述透光區(qū)域(15)位于所述襯底(23)中并且在側(cè)向上由一個第二光防護(hù)件(9)界定,并且所述透光區(qū)域(15)位于由所述第一光防護(hù)件(7)遮蔽的區(qū)域中,
c.所述第一光防護(hù)件(7)在所述襯底(23)的上表面處位于所述讀出觸點(57)之上,或者所述第一光防護(hù)件(7)與所述讀出觸點(57)一起形成一個單元,
d.所述第二導(dǎo)電連接(19)被設(shè)置在所述透光區(qū)域(15)的所述表面沿所述表面法線的第二投影內(nèi)并且位于所述第二光防護(hù)件(9)下方,
e.在所述第二導(dǎo)電連接(19)和所述前置放大器(3)之間的第三導(dǎo)電連接(21)被設(shè)置在所述第二光防護(hù)件(9)下方,并且
f.所述第一導(dǎo)電連接(17)和所述第三導(dǎo)電連接(21)是通孔連接,
從而所述前置放大器(3)的所述輸入端被保護(hù)以免受光的直接入射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線檢測器(1),其中所述讀出觸點(57)是所述第一光防護(hù)件(7)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1和2中任一項所述的X射線檢測器(1),其中所述第一導(dǎo)電連接(17)或所述第三導(dǎo)電連接(21)至少部分地被設(shè)計為一個多層通孔連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1和2中任一項所述的X射線檢測器(1),其中一個第一絕緣層(25)被設(shè)置在所述襯底(23)的所述頂側(cè)和所述第二光防護(hù)件(9)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1和2中任一項所述的X射線檢測器(1),其中所述第一導(dǎo)電連接(17)包括一個中間觸點(27),所述第二光防護(hù)件(9)包括多個金屬層,并且所述中間觸點(27)被設(shè)置在一個上金屬層中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的X射線檢測器(1),其中在沿所述表面法線的投影中,所述中間觸點(27)具有比所述讀出觸點(57)小的表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2和6中任一項所述的X射線檢測器(1),其中所述第一導(dǎo)電連接(17)以導(dǎo)電的方式將所述讀出觸點(57)連接到所述第二導(dǎo)電連接(19)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的X射線檢測器(1),其中所述第一導(dǎo)電連接(17)包括所述讀出觸點(57)和所述中間觸點(27)之間的一個通孔連接、所述中間觸點(27)、以及所述中間觸點(27)和所述第二導(dǎo)電連接(19)之間的一個多層通孔連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、6、和8中任一項所述的X射線檢測器(1),其中所述集成電路的一個有源層(5)通過所述第一光防護(hù)件(7)、所述第二光防護(hù)件(9)或一個第三光防護(hù)件(11)而被保護(hù)以免受來自所述頂側(cè)的光的直接入射。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的X射線檢測器(1),其中所述第二光防護(hù)件(9)或所述第三光防護(hù)件(11)是一個金屬層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的X射線檢測器(1),其中所述第三光防護(hù)件(11)具有一個間隙。
12.根據(jù)權(quán)利要求10和11中任一項所述的X射線檢測器(1),其中所述第三光防護(hù)件(11)是所述第二光防護(hù)件(9)下方的一個金屬層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





