[發明專利]薄膜晶體管、顯示器設備及薄膜晶體管的制備方法

有效

• 申請號: 201680049277.0
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108064416B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 陳小明
• 申請（專利權）人: 深圳市柔宇科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/786
• 分類號: H01L21/786;H01L21/336;H01L29/06;H01L27/32;G02F1/1368
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

提供一種薄膜晶體管、其制作方法及顯示器設備。薄膜晶體管包括基底(101)、半導體層(10)、源極(20)、漏極(30)和柵極(50)、絕緣層(40)和多個懸空電極(60)。半導體層(10)形成在基底(101)上，半導體層(10)的兩端分別形成有第一摻雜區域(11)，源極(20)與漏極(30)分別對應設置在第一摻雜區(11)域上，柵極(50)設置在源極(20)與漏極(30)之間。柵極(50)與漏極(30)之間的半導體層(10)形成偏移區域，偏移區域上間隔地形成有多個第二摻雜區域(12)。絕緣層(40)遮蓋在偏移區域未形成有第二摻雜區域(12)的區域，多個懸空電極(60)對應設置于絕緣層(40)。第二摻雜區域的設置，有利于改善薄膜晶體管的電流驅動能力。

技術領域

本發明涉及顯示器技術領域，具體地，涉及一種薄膜晶體管、使用該薄膜晶體管的顯示器設備以及該薄膜晶體管的制備方法。

背景技術

薄膜晶體管(TFT)可應用于顯示器設備、打印機、掃描設備、微機電系統(MEMS)、平面型X射線源等等，尤其在顯示器設備、微機電系統、平面型X射線源中的應用前景廣闊。偏移漏極是TFT上的基本結構，如圖1所示，在該結構中，基底1設置了半導體層1＇，并在半導體層1＇的相應位置上設置的摻雜區域2，摻雜區域2上分別設置源極3和漏極4，柵極5與半導體層1之間設置了絕緣層6，柵極5和漏極4之間有一定偏移量(即柵極5與漏極4的距離較柵極5與源極3的距離遠，如圖1，柵極5和漏極4之間具有偏移距離L)而使得兩者之間的半導體層1形成偏移區域，使得漏極4上的高電壓主要落在偏移區域上，從而提高TFT的擊穿電壓。偏移區域對偏移的漏極的TFT的擊穿電壓有顯著影響。該結構所存在的問題在于：偏移區域的半導體層1的電阻很高，與一般常用的薄膜晶體管相比較，偏移的漏極的TFT的開態電流小若干數量級，會影響其電流驅動能力。

發明內容

本發明的目的在于提供一種薄膜晶體管、使用該薄膜晶體管的顯示器設備以及該薄膜晶體管的制備方法，旨在解決現有技術中薄膜晶體管在設置偏移區域之后，薄膜晶體管的電流驅動能力受到影響的問題。

為解決上述技術問題，本發明的技術方案是：提供一種薄膜晶體管，包括基底、半導體層、絕緣層、源極、漏極和柵極，半導體層設置在基底上，半導體層的兩端分別形成有一第一摻雜區域，源極與漏極分別對應設置在兩個第一摻雜區域上，半導體層的兩個第一摻雜區域之間具有間隔設置的多個第二摻雜區域；柵極設置在源極與漏極之間，且柵極與漏極的距離較柵極與源極的距離遠，從而柵極與漏極之間的半導體層形成偏移區域，多個第二摻雜區域位于偏移區域；所薄膜晶體管還包括多個懸空電極，絕緣層遮蓋在偏移區域未形成有多個第二摻雜區域的區域，多個懸空電極對應設置于該絕緣層上，柵極與相鄰的一懸空電極之間具有一個第二摻雜區域，剩余的懸空電極中的每相鄰兩個之間具有一個第二摻雜區域。

優選地，沿源極向漏極的方向，多個第二摻雜區域的水平橫截寬度依次縮小。

優選地，第二摻雜區域的數量為三個、四個或五個中之一。

優選地，第一摻雜區域中所摻雜物質的劑量大于第二摻雜區域中所摻雜物質的劑量。

優選地，第一摻雜區域中所摻雜物質與第二摻雜區域中所摻雜物質相同，所摻雜物質為磷離子或硼離子。

優選地，第一摻雜區域和第二摻雜區域均為通過在半導體層上摻雜離子而形成，第一摻雜區域摻雜的離子個數為是1×10¹⁶個/cm²，第二摻雜區域摻雜的離子個數為是5×10¹⁵個/cm²。

一種顯示器設備，包括上述的薄膜晶體管。