[發明專利]薄膜晶體管、顯示器設備及薄膜晶體管的制備方法

有效

• 申請號: 201680049277.0
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108064416B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 陳小明
• 申請（專利權）人: 深圳市柔宇科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/786
• 分類號: H01L21/786;H01L21/336;H01L29/06;H01L27/32;G02F1/1368
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種薄膜晶體管，包括基底(101)、半導體層(10)、絕緣層(40)、源極(20)、漏極(30)和柵極(50)，所述半導體層(10)設置在所述基底(101)上，其特征在于，

所述半導體層(10)的兩端分別形成有一第一摻雜區域(11)，所述源極(20)與所述漏極(30)分別對應設置在兩個所述第一摻雜區域(11)上，所述半導體層(10)的兩個所述第一摻雜區域(11)之間具有間隔設置的多個第二摻雜區域(12)；

所述柵極(50)設置在所述源極(20)與所述漏極(30)之間，且所述柵極(50)與所述漏極(30)的距離較所述柵極(50)與所述源極(20)的距離遠，從而所述柵極(50)與所述漏極(30)之間的半導體層(10)形成偏移區域，所述多個第二摻雜區域(12)位于所述偏移區域；

所薄膜晶體管還包括多個懸空電極(60)，所述絕緣層(40)遮蓋在所述偏移區域未形成有所述多個第二摻雜區域(12)的區域，所述多個懸空電極(60)對應設置于該絕緣層(40)上，所述柵極(50)與相鄰的一所述懸空電極(60)之間具有一個所述第二摻雜區域(12)，剩余的所述懸空電極(60)中的每相鄰兩個之間具有一個所述第二摻雜區域(12)；

所述第一摻雜區域(11)中所摻雜物質的劑量大于所述第二摻雜區域(12)中所摻雜物質的劑量；

所述第一摻雜區域(11)中所摻雜物質與所述第二摻雜區域(12)中所摻雜物質相同。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，沿所述源極(20)向所述漏極(30)的方向，多個所述第二摻雜區域(12)的水平橫截寬度依次縮小。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二摻雜區域(12)的數量為三個、四個或五個中之一。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所摻雜物質為磷離子或硼離子。

5.一種顯示器設備，其特征在于，該顯示器設備包括權利要求1至4中任一項所述的薄膜晶體管。

6.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供基底(101)，并在基底(101)上形成半導體層(10)；

在所述半導體層(10)遠離所述基底(101)的一側形成絕緣層(40)，并在所述絕緣層(40)上對應地設置一個柵極(50)及多個懸空電極(60)，所述柵極(50)與所述懸空電極(60)之間以及相鄰兩個所述懸空電極(60)之間均間隔設置；

對所述半導體層(10)的兩端進行摻雜處理以分別形成一第一摻雜區域(11)，并對未被所述柵極(50)和所述多個懸空電極(60)遮蓋的半導體層(10)進行摻雜處理以形成多個第二摻雜區域(12),所述第一摻雜區域(11)中所摻雜物質的劑量大于所述第二摻雜區域(12)中所摻雜物質的劑量，所述第一摻雜區域(11)中所摻雜物質與所述第二摻雜區域(12)中所摻雜物質相同；

在兩個所述第一摻雜區域(11)上分別相應地設置源極(20)和漏極(30)。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在形成所述絕緣層(40)、所述柵極(50)和所述多個懸空電極(60)過程中，在所述半導體層(10)上依次形成絕緣材料層及金屬層，同時圖案化所述絕緣材料層及所述金屬層，所述絕緣材料層形成絕緣層(40)，所述金屬層形成柵極(50)和多個懸空電極(60)。