[發明專利]薄膜晶體管和薄膜晶體管的制備方法和陣列基板

在審

• 申請號: 201680049276.6
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN108064419A
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 陳小明;趙曉輝;曹慧敏
• 申請（專利權）人: 深圳市柔宇科技有限公司
• 主分類號: H01L29/04
• 分類號: H01L29/04;H01L29/06;H01L29/167;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34
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一種薄膜晶體管(100)和薄膜晶體管(100)的制備方法和陣列基板，薄膜晶體管(100)包括柵極(102)、有源層(104)、源極(106)、漏極(108)、第一保護層(110)和第二保護層(112)，所述第一保護層(110)位于所述源極(106)和所述有源層(104)之間并連接所述源極(106)和所述有源層(104)，所述第二保護層(112)位于所述漏極(108)和所述有源層(104)之間并連接所述漏極(108)和所述有源層(104)，所述第一保護層(110)和所述第二保護層(112)均包括層疊的至少兩個子層(114)，所述至少兩個子層(114)的摻雜濃度不相同。上述薄膜晶體管(100)中，連接有源層(104)和源極(106)/漏極(108)的保護層(110、112)包括摻雜濃度不同的至少兩個子層(114)，如此，在設置保護層(110、112)的情況下，能夠優化有源層(104)和源極(106)/漏極(108)之間的接觸電阻，進而改善薄膜晶體管(100)的電學特性。

技術領域

本發明涉及于晶體管領域，更具體而言，涉及一種薄膜晶體管和薄膜晶體管的制備方法和陣列基板。

背景技術

在相關技術中，薄膜晶體管被廣泛地用于陣列基板中，在薄膜晶體管的制備過程中，薄膜晶體管的有源層，在制備源極/漏極的步驟中，容易受到刻蝕液的刻蝕而破壞原來的電學特性。

為解決上述問題，相關技術中，在制備源極/漏極的步驟前，會在有源層上形成保護層以保護有源層。但是，保護層的設置會使得有源層與源極/漏極之間的電阻變大，不利于改善薄膜晶體管的電學特性。

發明內容

本發明實施方式旨在至少解決相關技術中存在的技術問題之一。為此，本發明實施方式需要提供一種薄膜晶體管和薄膜晶體管的制備方法和陣列基板。

本發明實施方式的一種薄膜晶體管，包括柵極、有源層、源極、漏極、第一保護層和第二保護層，所述第一保護層位于所述源極和所述有源層之間并連接所述源極和所述有源層，所述第二保護層位于所述漏極和所述有源層之間并連接所述漏極和所述有源層，所述第一保護層和所述第二保護層均包括層疊的至少兩個子層，所述至少兩個子層的摻雜濃度不相同。

上述薄膜晶體管中，連接有源層和源極/漏極的保護層包括摻雜濃度不同的至少兩個子層，如此，在設置保護層的情況下，能夠優化有源層和源極/漏極之間的接觸電阻，進而改善薄膜晶體管的電學特性。

本發明實施方式的一種薄膜晶體管的制備方法，包括以下步驟：

形成柵極；

在所述柵極上形成有源層和在所述有源層上形成保護層，所述保護層包括層疊的至少兩個子層，所述至少兩個子層的摻雜濃度不相同；

在所述保護層上形成源極和漏極，所述源極和所述漏極間隔形成間隙；

自所述間隙刻蝕所述保護層以露出所述有源層并將所述保護層分隔成第一保護層和第二保護層，所述第一保護層位于所述源極和所述有源層之間并連接所述源極和所述有源層，所述第二保護層位于所述漏極和所述有源層之間并連接所述漏極和所述有源層。

本發明實施方式的一種陣列基板，包括上述的薄膜晶體管。

上述陣列基板中，連接有源層和源極/漏極的保護層包括摻雜濃度不同的至少兩個子層，如此，在設置保護層的情況下，能夠優化有源層和源極/漏極之間的接觸電阻，進而改善薄膜晶體管的電學特性。

本發明實施方式的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明實施方式的實踐了解到。

附圖說明

本發明實施方式的上述和/或附加的方面和優點從結合下面附圖對實施方式的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是本發明實施方式的薄膜晶體管的結構示意圖；