[發明專利]薄膜晶體管和薄膜晶體管的制備方法和陣列基板

在審

• 申請號: 201680049276.6
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN108064419A
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 陳小明;趙曉輝;曹慧敏
• 申請（專利權）人: 深圳市柔宇科技有限公司
• 主分類號: H01L29/04
• 分類號: H01L29/04;H01L29/06;H01L29/167;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34
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• 代理人: 暫無信息

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括柵極、有源層、源極、漏極、第一保護層和第二保護層，所述第一保護層位于所述源極和所述有源層之間并連接所述源極和所述有源層，所述第二保護層位于所述漏極和所述有源層之間并連接所述漏極和所述有源層，所述第一保護層和所述第二保護層均包括層疊的至少兩個子層，所述至少兩個子層的摻雜濃度不相同。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的材料為銦鎵鋅氧化物，所述源極和所述漏極的材料為功函數較所述有源層高的金屬或金屬氧化物，所述至少兩個子層的摻雜濃度沿所述源極和所述漏極至所述有源層的方向依次遞增。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述子層的數量為7層，所述第一保護層和第二保護層的材料是非晶硅，摻雜的元素是磷，最頂層的所述子層與所述源極和所述漏極接觸，最底層的所述子層與所述有源層接觸。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的材料為銦鎵鋅氧化物，所述源極和所述漏極的材料為功函數較所述有源層低的金屬，所述至少兩個子層的摻雜濃度沿所述源極和所述漏極至所述有源層的方向依次遞減。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述子層的數量為7層，所述第一保護層和所述第二保護層的材料是非晶硅，摻雜的元素是磷，最頂層的所述子層與所述源極和所述漏極接觸，最底層的所述子層與所述有源層接觸。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的材料為非晶硅，所述源極和所述漏極的材料為功函數較所述有源層高的金屬或金屬氧化物，所述至少兩個子層的摻雜濃度沿所述源極和所述漏極至所述有源層的方向依次遞減。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述子層的數量為7層，所述第一保護層和所述第二保護層的材料是非晶硅，摻雜的元素是硼，最頂層的所述子層與所述源極和所述漏極接觸，最底層的所述子層與所述有源層接觸。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的材料為非晶硅，所述源極和所述漏極的材料為功函數較所述有源層低的金屬，所述至少兩個子層的摻雜濃度沿所述源極和所述漏極至所述有源層的方向依次遞減。

9.如權利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述子層的數量為7層，所述第一保護層和所述第二保護層的材料是非晶硅，摻雜的元素是磷，最頂層的所述子層與所述源極和所述漏極接觸，最底層的所述子層與所述有源層接觸。

10.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述至少兩個子層的摻雜濃度小于1×1020cm-3。

11.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括鈍化層和電極層，所述鈍化層覆蓋所述源極、所述漏極和所述有源層，所述鈍化層設有露出所述漏極的通孔，所述電極層設置在所述鈍化層上，所述電極層通過所述通孔連接所述漏極。

12.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成柵極；

在所述柵極上形成有源層和在所述有源層上形成保護層，所述保護層包括層疊的至少兩個子層，所述至少兩個子層的摻雜濃度不相同；

在所述保護層上形成源極和漏極，所述源極和所述漏極間隔形成間隙；

自所述間隙刻蝕所述保護層以露出所述有源層并將所述保護層分隔成第一保護層和第二保護層，所述第一保護層位于所述源極和所述有源層之間并連接所述源極和所述有源層，所述第二保護層位于所述漏極和所述有源層之間并連接所述漏極和所述有源層。

13.如權利要求12所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述保護層通過沉積的方法形成在所述有源層上。