[發明專利]為存儲器設備中的字線提供蝕刻停止

在審

• 申請號: 201680048780.4
• 申請日: 2016-07-20
• 公開（公告）號: CN107924922A
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發明（設計）人: G.A.哈勒;J.劉
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11582;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11521;H01L27/11524;H01L27/11575;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768;H01L21/3205
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 徐紅燕,申屠偉進

對相關申請的交叉引用

本申請要求于2015年8月25日提交的并且題為“PROVISION OF ETCH STOP FOR WORDLINES IN A MEMORY DEVICE”的美國申請第14/835,648號的優先權，由此其全部公開內容為了所有目的而通過引用并入本文。

技術領域

本公開的實施例一般涉及集成電路（IC）的領域，并且更具體地涉及用于三維存儲器設備的制造技術。

背景技術

典型的閃存設備可以包括存儲器陣列，該存儲器陣列包括以行和列的方式布置的大量非易失性存儲器單元。近年來，諸如三維（3D）存儲器的垂直存儲器已被開發出來。3D閃存（例如3D NAND存儲器陣列）設備可以包括堆疊在彼此之上的多串電荷儲存設備（存儲器單元）。多個串的每一組可以共享多個被稱為字線（WL）的存取線。多個存取線中的每一個可以耦合（例如，經由提供的觸點電連接）與每個串的相應層相對應的電荷儲存設備（存儲器單元）。

在3D存儲器設備制造中，即使接觸著陸（contact landing）可能處于不同的緯度，但是也可以與單個蝕刻同時形成字線觸點。然而，在蝕刻過程期間確保所形成的觸點在指定的字線上停止而不泄漏到另一字線（例如通過穿透指定的字線或泄漏到下面的字線）以及因此產生不希望的短路可能是富有挑戰性的。

附圖說明

通過以下結合附圖的詳細描述，將容易理解實施例。為了便于此描述，相同的附圖標號表示相同的結構元件。在附圖中通過示例的方式而不是通過限制的方式圖示出實施例。

圖1是根據一些實施例的包括利用本公開的字線蝕刻停止提供技術制造的3D存儲器陣列的示例存儲器設備。

圖2-圖8示意性地圖示出了根據一些實施例的3D存儲器設備的字線階梯結構的示例橫截面側視圖，其示出了在布置在管芯中的階梯結構中的字線上形成蝕刻停止件的不同階段。

圖9圖示出了根據一些實施例的具有如參考圖2-圖8所述而形成的蝕刻停止件的3D存儲器設備的字線階梯結構的示例橫截面側視圖。

圖10是根據一些實施例的用于向3D存儲器陣列的字線提供蝕刻停止件的處理流程圖。

圖11示意性地圖示出根據一些實施例的包括具有使用本公開的技術提供給陣列的字線的蝕刻停止件的存儲器陣列的示例計算設備。

具體實施方式

根據一些實施例，本公開的實施例描述了用于包括存儲器陣列的裝置的技術和配置，其中向形成階梯結構的字線提供蝕刻停止件。在一些實施例中，裝置可以包括具有設置在管芯中的階梯結構中的多個字線的存儲器陣列。多個字線中的字線可以包括硅化物層，并且在一些實施例中，還包括間隔件，所述間隔件被設置為圍繞字線的端部鄰接所述硅化物層。硅化物層和間隔件可以為字線接觸結構形成字線的蝕刻停止件，以響應于字線接觸結構在蝕刻停止件上的沉積來將字線與存儲器陣列電連接。蝕刻停止件可以被配置為防止字線接觸結構與階梯結構的相鄰字線的物理或電接觸，以便避免不希望的短路。

在以下描述中，將使用本領域技術人員通常采用的術語來描述說明性實現的各個方面，以將他們的工作的實質傳達給本領域的其他技術人員。然而，對于本領域技術人員來說顯而易見的是，可以僅用所描述的一些方面來實踐本公開的實施例。為了解釋的目的，闡述了具體的數字、材料和配置以便提供對說明性實現的透徹理解。然而，對于本領域技術人員顯而易見的是，可以在沒有具體細節的情況下實踐本公開的實施例。在其他情形下，省略或簡化了公知的特征以免混淆所述說明性實現。

在下面的詳細描述中，對構成詳細描述一部分的附圖進行參考，其中相同的附圖標號通篇指定相同的部分，并且在其中通過說明性方式示出其中可以實踐本公開主題的實施例。應該理解的是，在不脫離本公開的范圍的情況下，可以利用其他實施例并且可以進行結構或邏輯上的改變。因此，下面的詳細描述不應被認為是限制性意義的，并且實施例的范圍由所附權利要求及其等價物來限定。

為了本公開的目的，短語“A和/或B”意指（A）、（B）、（A）或（B）或（A和B）。為了本公開的目的，短語“A、B和/或C”是指（A）、（B）、（C）、（A和B）、（A和C）、（B和C） 、或（A、B和C）。

描述可以使用基于透視的描述，諸如頂部/底部、輸入/輸出、上/下等等。這樣的描述僅用于促進討論，并不旨在將本文描述的實施例的應用限于任何特定的取向。