[發明專利]為存儲器設備中的字線提供蝕刻停止

在審

• 申請號: 201680048780.4
• 申請日: 2016-07-20
• 公開（公告）號: CN107924922A
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發明（設計）人: G.A.哈勒;J.劉
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11582;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11521;H01L27/11524;H01L27/11575;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768;H01L21/3205
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 徐紅燕,申屠偉進

1.一種裝置，包括：

存儲器陣列，所述存儲器陣列具有設置在管芯中的階梯結構中的多個字線，其中所述多個字線中的字線包括硅化物層，并且其中所述硅化物層為字線接觸結構形成所述字線的蝕刻停止件以響應于所述字線接觸結構在所述蝕刻停止件上的沉積來將所述字線與所述存儲器陣列電連接，以及防止所述字線接觸結構與所述階梯結構的相鄰字線的物理或電接觸。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，設置在階梯結構中的多個字線包括響應于蝕刻過程而彼此相鄰設置的至少兩個字線，其中所述兩個字線中的第一字線的蝕刻停止件延伸超過所述兩個字線中的第二字線的端部。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述蝕刻停止件進一步包括間隔件，所述間隔件被設置為圍繞所述字線的端部鄰接所述硅化物層，其中所述字線進一步包括鄰接所述蝕刻停止件的所述硅化物層的半導體層以及用于將所述字線與相鄰字線分開的鈍化層，其中將所述半導體層和所述蝕刻停止件設置在所述鈍化層上。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中，所述間隔件包括絕緣電介質材料，其中所述材料包含氮化物。

5.根據權利要求4所述的裝置，其中，所述硅化物層包括與硅復合的硅化金屬材料，其中所述間隔件的所述絕緣電介質材料不與所述硅化金屬材料發生化學反應。

6.根據權利要求5所述的裝置，其中，所述硅化物層是硅化鎂、硅化鉑、硅化鈦或硅化鈷中的一種。

7.根據權利要求6所述的裝置，其中，所述字線接觸結構的沉積包括通過干法蝕刻過程形成所述結構，其中所述蝕刻停止件用于防止所述字線接觸結構在所述字線的端部上的泄漏或者滲透所述字線到達相鄰字線。

8.根據權利要求7所述的裝置，其中，所述字線接觸結構包括金屬，其中所述金屬包括鎢。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的裝置，其中，所述存儲器陣列是三維（3D）存儲器陣列。

10.根據權利要求9所述的裝置，其中，所述裝置包括集成電路。

11.一種裝置，包括：

處理器；和

與所述處理器耦合的存儲器，其中，所述存儲器包括存儲器陣列，所述存儲器陣列具有設置在管芯中的階梯結構中的多個字線，其中所述多個字線中的字線包括硅化物層，其中所述硅化物層為字線接觸結構形成所述字線的蝕刻停止件以將所述字線與所述存儲器陣列電連接。

12.根據權利要求11所述的裝置，其中，設置在階梯結構中的多個字線包括響應于蝕刻過程而彼此相鄰設置的至少兩個字線，其中所述兩個字線中的第一字線的蝕刻停止件延伸超過所述兩個字線中的第二字線的端部。

13.根據權利要求11所述的裝置，其中，所述蝕刻停止件進一步包括間隔件，所述間隔件被設置為圍繞所述字線的端部鄰接所述硅化物層，其中所述字線進一步包括鄰接所述蝕刻停止件的所述硅化物層的半導體層以及用于將所述字線與相鄰字線分開的鈍化層，其中將所述半導體層和所述蝕刻停止件設置在所述鈍化層上。

14.根據權利要求13所述的裝置，其中，所述間隔件包括絕緣電介質材料以提供去除氧化物的選擇性，其中所述硅化物層包括與硅復合的硅化金屬材料，其中所述間隔件的所述絕緣電介質材料不與硅化金屬材料發生化學反應。

15.根據權利要求11所述的裝置，其中，所述裝置是移動計算設備。

16.根據權利要求11至15中任一項所述的裝置，其中，所述存儲器陣列是三維（3D）NAND存儲器陣列。

17.一種方法，包括：

在管芯中提供三維存儲器陣列，包括形成包含所述存儲器陣列的多個字線的階梯結構；和

在所述多個字線中的每個字線中形成包括硅化物層的蝕刻停止件，所述硅化物層為字線接觸結構形成字線的蝕刻停止件，以將所述字線與所述管芯中的存儲器陣列電連接。

18.根據權利要求17所述的方法，其中，形成階梯結構包括在包括所述管芯的半導體材料中蝕刻所述階梯結構，其中蝕刻包括用所述半導體材料形成每個字線，并且在形成每個字線的半導體層的所述半導體材料的頂部上提供鈍化層。