[發明專利]利用基于目標的空中圖像的變換的焦點計量和目標有效
| 申請號: | 201680045370.4 | 申請日: | 2016-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN107924849B | 公開(公告)日: | 2022-10-11 |
| 發明(設計)人: | N·古特曼;Y·弗萊;V·萊溫斯基;O·卡米斯開 | 申請(專利權)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 基于 目標 空中 圖像 變換 焦點 計量 | ||
本發明提供焦點計量方法和模塊,其使用基于空中圖像的變換以共享自多個目標導出的測量信息和/或設計針對指定兼容目標的額外目標,此實現依據改變的生產條件簡單調整焦點目標。方法包括:將兩個或兩個以上焦點目標定位在每一晶片場中;進行目標的焦點測量;將焦點測量變換為針對每一場的單組結果;使用基于目標的空中圖像的目標之間的變換;及自單組結果導出焦點結果;及可能使用指定目標的空中圖像參數自指定目標設計焦點目標。
本申請案主張2015年8月6日申請的第62/201,975號美國臨時專利申請案的優先權,所述專利申請案的全部內容特此以引用方式并入。
技術領域
本發明涉及焦點劑量計量的領域,且更具體來說,涉及改進焦點和劑量測量準確度和靈活性的測量方法和目標。
背景技術
在信號響應計量(SRM)中,依據若干所關注參數學習信號的響應。使用指定實驗組,改變所關注參數且測量信號。在平版印刷工具(例如掃描儀或步進器)的情況中,使用SRM以焦點和劑量為參數完成焦點和劑量計量。在特殊晶片(即,焦點曝光矩陣(FEM)晶片)上針對不同焦點和劑量值印刷單元組(即,計量目標)。經學習信號可由(例如)實施角度分辨的散射測量技術的對應計量工具導出。
SRM中的固有問題是經學習信號中的誤差。在焦點計量的情況中,FEM焦點的模糊度可為約20nm。在FEM和生產晶片兩者上預期這些焦點誤差。FEM晶片上的掃描儀焦點位置的此大模糊度不允許建立良好校準的模型且導致隨后的焦點/劑量測量中的較大誤差。此外,如在底層和抗蝕劑中的工藝變動引起FEM與生產印刷圖案之間的差異且又引起經測量信號的差異。
現有技術焦點劑量測量通常使用由線-空間圖案組成的兩個單元。一個單元(稱為密集單元)具有以最小間距的線且另一個單元(稱為ISO單元)具有與密集單元相同的線但具有雙倍間距。雖然ISO單元對焦點和劑量兩者非常靈敏,但密集單元對焦點不靈敏。因此,可使焦點與劑量貢獻去相關(參見麥克(Mack)、克里斯(Chris)2008年的《光學平版印刷法的基本原理(Fundamental principles of optical lithography)》:《微制造的科學(thescience of microfabrication)》,約翰·威利父子出版公司)。不對稱目標具有取決于焦點和曝光的(若干)不對稱特征。此類目標通常具有較大間距(400nm到900nm),這實現測量第一階之間的差分信號。使用具有不同間距和不對稱性的多個目標來使焦點與劑量去相關(見WIPO公開案第2013/189724號,所述公開案的全文以引用的方式并入本文中)。
發明內容
下文是提供本發明的初步理解的簡明概要。概要不一定識別關鍵元素,也不限制本發明的范圍,而僅充當以下描述的導論。
本發明的一個方面提供一種焦點計量方法,其包括:將兩個或兩個以上焦點目標定位在每一晶片場中;進行所述目標的焦點測量;將所述焦點測量變換為針對每一場的單組結果;使用基于所述目標的空中圖像的所述目標之間的變換;及自所述單組結果導出焦點結果。
本發明的這些、額外和/或其它方面和/或優點在下文的具體實施方式中闡述;可能可自詳具體實施方式推斷;和/或可通過實踐本發明而學習。
附圖說明
為了更好地理解本發明的實施例且展示可如何實行本發明的實施例,現將純粹通過實例參考附圖,其中遍及圖式中的相同數字指定對應元件或區段。
在附圖中:
圖1是根據本發明的一些實施例的計量工具中的焦點模塊的高階示意性框圖。
圖2A示意性說明自測量的理想化焦點劑量結果導出,且圖2B示意性說明自測量的現有技術焦點劑量結果導出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





