[發(fā)明專利]膏狀組合物

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680045360.0
• 申請日: 2016-09-27
• 公開（公告）號: CN107924824B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發(fā)明（設計）人: 馬爾萬·達姆林;鈴木紹太;菊地健;中原正博;森下直哉
• 申請（專利權）人: 東洋鋁株式會社
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01B1/22;H01L21/225;H01L31/18
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;謝順星

本發(fā)明提供一種能夠容易地在半導體基板上形成n型摻雜元素濃度高的擴散層的膏狀組合物。其是用于在半導體基板上形成覆膜的膏狀組合物。該膏狀組合物含有鋁粉末、含有n型摻雜元素的化合物、樹脂、及溶劑，所述n型摻雜元素為選自由磷、銻、砷及鉍組成的組中的一種或兩種以上的元素，相對于所述鋁粉末中包含的鋁100質(zhì)量份，所述含有n型摻雜元素的化合物中的所述n型摻雜元素的含量為1.5質(zhì)量份以上、1000質(zhì)量份以下。

技術領域

本發(fā)明涉及一種用于在半導體基板上形成覆膜的膏狀組合物。

背景技術

以往，作為在本征半導體基板或p型半導體基板上形成n層、以及在n型半導體基板上形成n+層的手段，提出了將磷用作n型摻雜劑的方法。具體而言，已知：在三氯氧磷、氮、氧的混合氣體氛圍下，例如于 800～900℃下處理數(shù)十分鐘的方法(例如，參考專利文獻1等)；或者利用包含五氧化磷等磷酸鹽的溶液來形成n型擴散層的方法(例如，參考專利文獻2等)。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2014/024297號

專利文獻2：日本特開2002-75894號公報

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術問題

然而，關于如上所述的專利文獻所公開的所述方法，由于形成n層需要長時間的熱處理，而且由于為分批處理，因此存在生產(chǎn)率差、需要過量的能量的問題。除了像這樣的生產(chǎn)上的技術問題以外，上述的各專利文獻中公開的技術還存在難以形成n層中的特別是磷濃度高的層、即難以形成n+層的技術問題，難以效率良好地形成n+層。

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種能夠容易地在半導體基板上形成n型摻雜元素濃度高的擴散層的膏狀組合物。

解決技術問題的技術手段

本申請的發(fā)明人為了達成上述目的反復進行了深入研究，其結果發(fā)現(xiàn)通過在膏狀組合物中以特定的量含有特定的摻雜元素，能夠達成上述目的，從而完成了本發(fā)明。

即，本發(fā)明例如包含以下的項中所記載的主題。

項1.一種膏狀組合物，其是用于在半導體基板上形成覆膜的膏狀組合物，

其含有鋁粉末、含有n型摻雜元素的化合物、樹脂、及溶劑，

所述n型摻雜元素為選自由磷、銻、砷及鉍組成的組中的一種或兩種以上的元素，

相對于所述鋁粉末中包含的鋁100質(zhì)量份，所述含有n型摻雜元素的化合物中的所述n型摻雜元素的含量為1.5質(zhì)量份以上、1000質(zhì)量份以下。

發(fā)明效果

通過使用本發(fā)明涉及的膏狀組合物，能夠以簡易的工序且在短時間內(nèi)在半導體基板上形成n型摻雜元素濃度高的擴散層。

附圖說明

圖1是表示使用膏狀組合物以在半導體基板上形成擴散層的過程的一個例子的說明圖。

圖2是表示使用膏狀組合物以在半導體基板上形成擴散層的過程的其他例子的說明圖。

圖3是表示利用二次離子質(zhì)譜(SIMS)，對比較例1、實施例2及實施例5中所得到的基板樣品進行了表面層的元素分布分析的結果的圖表。

具體實施方式

以下，對本發(fā)明的實施方式進行詳細地說明。

本實施方式涉及的膏狀組合物是用于涂布在半導體基板上從而形成覆膜的材料。