[發明專利]基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質有效
| 申請號: | 201680044518.2 | 申請日: | 2016-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN107851572B | 公開(公告)日: | 2022-02-18 |
| 發明(設計)人: | 伊藤規宏;東島治郎;緒方信博;大塚貴久;道木裕一;橋本佑介;相浦一博;后藤大輔 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 以及 存儲 介質 | ||
基板處理裝置具備:固定杯體(51),其包圍基板保持部(31)并接受被供給到基板的處理液或處理液的霧,且相對于處理容器相對地不動;霧防護件(80);以及防護件升降機構(84),其使霧防護件升降。霧防護件以包圍固定杯體的方式設置于固定杯體的外側,對越過固定杯體的上方而向外方飛散的液進行阻斷。霧防護件具有:筒狀的筒部(81);以及伸出部(82),其從筒部的上端朝且向固定杯體的側伸出。
技術領域
本發明涉及通過向旋轉的基板供給處理液來對基板實施液體處理的技術。
背景技術
半導體裝置的制造工序包括化學溶液清洗處理或濕法蝕刻處理等液體處理。作為對半導體晶圓等基板實施這樣的液體處理的液體處理裝置,公知有一種液體處理裝置,該液體處理裝置具備:保持部,其在被稱為腔室的處理容器內保持基板;旋轉機構,其使半導體晶圓等基板旋轉;噴嘴,其向旋轉的基板供給處理液;以及杯,其接受被甩出來的處理液。
供給到基板的處理液的大部分被杯回收,但霧化后的處理液的一部分向杯的外側飛散。若飛散開的該處理液附著于腔室的內壁,則在基板周圍形成源自處理液、特別是源自化學溶液的氣氛,該氣氛中的化學溶液成分有時附著于液體處理中的基板而污染基板。另外,若水分附著到腔室的內壁,則也考慮到:基板的周圍的濕度上升,對基板的干燥處理產生不良影響。
因而,期望的是盡可能防止從基板飛散到杯外的處理液附著于腔室內壁。
專利文獻1:日本特開2008-53690號公報
發明內容
本發明提供一種能夠防止從基板飛散到杯外的處理液附著于腔室內壁的技術。
根據本發明的一實施方式,提供一種基板處理裝置,該基板處理裝置具備:基板保持部,其保持基板;至少1個處理液噴嘴,其向保持到所述基板保持部的基板噴出處理液;處理容器,其收容所述基板保持部和所述處理液噴嘴;固定杯體,其配置于所述基板保持部的周圍,該固定杯體接受被供給到基板的至少處理液或處理液的霧,且相對于所述處理容器相對地不動;霧防護件,其以包圍所述固定杯體的方式設置于所述固定杯體的外側,該霧防護件對越過所述固定杯體的上方而向外方飛散的液體進行阻斷;以及升降機構,其使所述霧防護件向第1防護高度和比所述第1防護高度低的第2防護高度升降,所述霧防護件具有:筒狀的筒部;以及伸出部,其從所述筒部的上部朝向所述筒部的內側且向所述固定杯體的上方伸出。
根據本發明的另一實施方式,提供一種基板處理方法,在該基板處理方法中使用基板處理裝置,該基板處理裝置具備:基板保持部,其保持基板;至少1個處理液噴嘴,其向保持到所述基板保持部的基板的上表面噴出處理液;處理容器,其收容所述基板保持部和所述處理液噴嘴;固定杯體,其配置于所述基板保持部的周圍,該固定杯體接受被供給到基板的處理液或處理液的霧,且相對于所述處理容器相對地不動;霧防護件,其以包圍所述固定杯體的方式設置于所述固定杯體的外側,該霧防護件對越過所述固定杯體的上方而向外方飛散的液體進行阻斷;以及升降機構,其使所述霧防護件升降,所述霧防護件具有:筒狀的筒部;以及伸出部,其從所述筒部的上端朝向所述固定杯體側伸出,該基板處理方法包括如下工序:在使所述霧防護件位于第1防護高度的狀態下,從所述噴嘴向由所述基板保持部保持著的基板供給處理液;以及在使所述霧防護件位于比所述第1防護高度低的第2防護高度的狀態下,使所述基板干燥。
根據本發明的又一實施方式,提供一種存儲介質,該存儲介質儲存有計算機程序,其中,在所述計算機程序被構成基板處理裝置的控制裝置的計算機執行了時,該計算機對所述基板處理裝置的動作進行控制而使上述的基板處理方法執行。
根據上述本發明的實施方式,通過設置具有伸出部的霧防護件,能夠防止越過杯而飛散開的處理液附著于處理容器的內壁。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





