[發(fā)明專利]用于減小表面應(yīng)變的柔性基底層壓體和包含其的柔性電子器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680042546.0 | 申請日: | 2016-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN107851714A | 公開(公告)日: | 2018-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙吉元;鄭尹榮;金炫浩 | 申請(專利權(quán))人: | 納米基盤柔軟電子素子研究團(tuán) |
| 主分類號: | H01L51/00 | 分類號: | H01L51/00;H01L29/06 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11290 | 代理人: | 王芬,楊國強(qiáng) |
| 地址: | 韓國慶*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 減小 表面 應(yīng)變 柔性 基底 層壓 包含 電子器件 | ||
1.一種柔性基底層壓制品,所述柔性基底層壓制品包含:
柔性基底;以及
基部構(gòu)件,所述基部構(gòu)件被配置為在所述柔性基底的一個表面上減小所述柔性基底的應(yīng)變。
2.如權(quán)利要求1所述的柔性基底層壓制品,其中,所述柔性基底的剪切模量(G1)大于所述基部構(gòu)件的剪切模量(G2)。
3.如權(quán)利要求2所述的柔性基底層壓制品,其中,所述柔性基底的剪切模量(G1)與所述基部構(gòu)件的剪切模量(G2)的比(G1/G2)滿足如下的式1:
[式1]
1<G1/G2≤104。
4.如權(quán)利要求2所述的柔性基底層壓制品,其中,在經(jīng)受彎曲的所述柔性基底層壓制品中,所述基部構(gòu)件的表面應(yīng)變(γ2)大于所述柔性基底的表面應(yīng)變(γ1)。
5.如權(quán)利要求4所述的柔性基底層壓制品,其中,在經(jīng)受彎曲的所述柔性基底層壓制品中,所述基部構(gòu)件的表面應(yīng)變(γ2)與所述柔性基底的表面應(yīng)變(γ1)的比(γ2/γ1)滿足如下的式2:
[式2]
1<γ2/γ1≤103。
6.如權(quán)利要求1所述的柔性基底層壓制品,其中,所述柔性基底包含聚合物。
7.如權(quán)利要求6所述的柔性基底層壓制品,其中,所述聚合物為選自如下中的至少一種:聚四氟乙烯、聚酰亞胺、聚酰胺、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚氨酯、聚二甲基硅氧烷、聚丙烯酸酯、聚芳酯、纖維增強(qiáng)塑料以及它們的組合。
8.如權(quán)利要求1所述的柔性基底層壓制品,其中,所述基部構(gòu)件包含粘合劑。
9.如權(quán)利要求8所述的柔性基底層壓制品,其中,所述粘合劑包括選自如下中的至少一種:硅酮、聚氨酯、丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂和聚酰亞胺。
10.一種柔性電子器件,所述柔性電子器件包含柔性基底層壓制品,所述柔性基底層壓制品包含柔性基底和基部構(gòu)件,所述基部構(gòu)件被配置為在所述柔性基底的一個表面上減小所述柔性基底的應(yīng)變。
11.如權(quán)利要求10所述的柔性電子器件,其中,所述柔性基底層壓制品是粘合帶,以及使用所述粘合帶將所述柔性電子器件轉(zhuǎn)移至另一基底上并在其上附著。
12.如權(quán)利要求10所述的柔性電子器件,其中,所述柔性電子器件為選自如下中的任一種:晶體管、太陽能電池、有機(jī)發(fā)光二極管、觸感傳感器、射頻識別標(biāo)簽、電子紙和生物傳感器。
13.如權(quán)利要求12所述的柔性電子器件,其中,所述柔性電子器件是晶體管,
所述晶體管包含:
柔性基底層壓制品,所述柔性基底層壓制品包含柔性基底和基部構(gòu)件,所述基部構(gòu)件被配置為在所述柔性基底的一個表面上減小所述柔性基底的應(yīng)變;
在所述柔性基底層壓制品上的柵電極;
在所述柵電極上的柵絕緣層;
在所述柵絕緣層上的源電極和漏電極;以及
在所述源電極和所述漏電極之間的有源層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于納米基盤柔軟電子素子研究團(tuán),未經(jīng)納米基盤柔軟電子素子研究團(tuán)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201680042546.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





