[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號: | 201680041214.0 | 申請日: | 2016-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN107851631B | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發明(設計)人: | 好田慎一;木村潤一;臼井良輔;小倉智英;渡邊厚司 | 申請(專利權)人: | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;H01L23/36;H05K7/20 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 李國華 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
具有安裝在金屬層的所述半導體元件、設置在半導體元件的第一~第三連接端子、與所述第一連接端子接合的第一匯流條、以及與所述第二連接端子接合的第二匯流條。所述半導體元件與金屬層接合,在所述半導體元件的上表面配置所述第一~第三連接端子。所述第一匯流條的一端與所述第一連接端子接合,所述第一匯流條的另一端是輸出部,所述第二匯流條的一端與所述第二連接端子接合,所述第二匯流條的另一端與所述金屬層接合。所述半導體元件的所述第一面與所述第二匯流條是相同電位。
技術領域
本公開涉及使用于各種電子設備的半導體裝置。
背景技術
以下,使用附圖對以往的半導體裝置進行說明。圖5是示出以往的半導體裝置的結構的側視圖,在底板1隔著絕緣層2設置有散熱片3。在底板1的上表面設置有絕緣體4、絕緣體5。另外,散熱片3位于絕緣層2的下方。在絕緣體4的上方設置有匯流條6。進而,在匯流條6的上方安裝有半導體元件7。此外,在半導體元件7的上表面連接匯流條8的一個端部。而且,匯流條8從與半導體元件7的接合部分延伸,匯流條8的另一個端部(端部9)向絕緣體5密接配置。匯流條8的端部9與匯流條6的端部10承擔作為向外部的連接端子的功能。
另外,作為與本申請的公開相關聯的在先技術文獻,例如,已知有專利文獻1。
在先技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2007-243157號公報
發明內容
本公開的半導體裝置具有:作為導電體的金屬層;半導體元件,安裝在所述金屬層的第一面;第一連接端子,設置在所述半導體元件;第二連接端子,設置在所述半導體元件;第三連接端子,設置在所述半導體元件;第一匯流條,與所述第一連接端子接合;以及第二匯流條,與所述第二連接端子接合。所述半導體元件的第一面與所述金屬層的所述第一面接合,在所述半導體元件的第二面配置所述第一連接端子、所述第二連接端子以及所述第三連接端子,所述第一匯流條的一端與所述第一連接端子接合,所述第一匯流條的另一端是輸出部,所述第二匯流條的一端與所述第二連接端子接合,所述第二匯流條的另一端與所述金屬層接合,所述半導體元件的所述第一面與所述第二匯流條是相同電位。
附圖說明
圖1是示出本公開的實施方式1中的半導體裝置的結構的側視圖。
圖2是示出本公開的實施方式1中的半導體裝置的結構的俯視圖。
圖3是示出本公開的實施方式2中的半導體裝置的結構的側視圖。
圖4是示出本公開的實施方式3中的半導體裝置的結構的另一個側視圖。
圖5是以往的半導體裝置的側視圖。
具體實施方式
在對本公開的實施方式進行說明之前,對以往的半導體裝置中的問題進行簡單說明。
在參照圖5說明的以往的半導體裝置中,由于半導體元件7動作而產生的熱經由匯流條6和絕緣體4或經由匯流條8和絕緣體5傳遞到底板1。然而,從半導體元件7向底板1的傳熱性由于存在絕緣體4、絕緣體5而下降。其結果是,在以往的半導體裝置中,具有半導體元件7的散熱有可能變得不充分這樣的課題。
以下,使用附圖對本公開的實施方式進行說明。
另外,在本公開中為了使說明容易理解,使用“上表面”、“下表面”、“上方”、“下方”等表示方向的術語進行說明,但是關于“上表面”、“下表面”、“上方”、“下方”等表示方向的術語,只是表示相對的位置關系,并不限定于此。
(實施方式1)
圖1是示出本公開的實施方式1中的半導體裝置的結構的側視圖。半導體裝置11具有金屬層14、半導體元件15、匯流條16以及匯流條17。
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