[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號： | 201680041214.0 | 申請日： | 2016-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN107851631B | 公開（公告）日： | 2021-04-02 |
| 發明（設計）人： | 好田慎一;木村潤一;臼井良輔;小倉智英;渡邊厚司 | 申請（專利權）人： | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/36;H05K7/20 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 李國華 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，具備：
作為導電體的金屬層；
半導體元件，安裝在所述金屬層的第一面；
第一連接端子，其設置在所述半導體元件；
第二連接端子，其設置在所述半導體元件；
第三連接端子，其設置在所述半導體元件；
第一匯流條，其一端與所述第一連接端子接合；以及
第二匯流條，其與所述第一匯流條的通電方向上的截面積相比具有較大的通電方向上的截面積，并且一端與所述第二連接端子接合，
所述半導體元件的第一面與所述金屬層的所述第一面接合，
在所述半導體元件的與所述第一面相反的面即第二面配置所述第一連接端子、所述第二連接端子以及所述第三連接端子，
所述第一匯流條的另一端是向外部的器件連接的輸出部，
所述第二匯流條的另一端與所述金屬層接合，
所述半導體元件的所述第一面與所述第二匯流條是相同電位。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，還具備：
絕緣層，其設置在所述金屬層的第二面；以及
散熱體，其在所述絕緣層，
所述絕緣層的第一面與金屬層相接，
所述絕緣層的第二面與散熱體相接。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體元件由氮化鎵系晶體管構成，
所述第一連接端子是漏極端子，
所述第二連接端子是源極端子，
所述第三連接端子是柵極端子。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，所述金屬層是形成了布線圖案的引線框。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，所述第二匯流條通過連接分別呈直線狀延伸的多個導體而形成。
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