[發(fā)明專利]導(dǎo)熱性組合物、半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法和散熱板的粘合方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680039984.1 | 申請日: | 2016-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN107849432B | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 下邊安雄;村山龍一;齋藤敬一郎 | 申請(專利權(quán))人: | 住友電木株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52;C09K5/14;C08L33/04;C08L101/00;C09J4/00;C09J4/02;C09J5/06;C09J9/00;H01L23/36;H01L23/373;H01L23/40 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;程采 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)熱性 組合 半導(dǎo)體 裝置 制造 方法 散熱 粘合 | ||
1.一種導(dǎo)熱性組合物,其特征在于,包含:
金屬顆粒(A);和
使所述金屬顆粒(A)分散的分散介質(zhì)(B),
所述金屬顆粒(A)通過熱處理發(fā)生燒結(jié)而形成顆粒連結(jié)結(jié)構(gòu),
所述金屬顆粒(A)的體積基準的累積分布中的累積50%時的粒徑D50為1μm以上4μm以下,
所述金屬顆粒(A)的粒徑的標準偏差為2.0μm以下,
所述分散介質(zhì)(B)包含選自分子內(nèi)僅具有一個自由基聚合性雙鍵的化合物和分子內(nèi)僅具有一個環(huán)氧基的化合物中的一種或兩種以上,并且不包含分子內(nèi)具有兩個以上自由基聚合性雙鍵的化合物和分子內(nèi)具有兩個以上環(huán)氧基的化合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)熱性組合物,其特征在于:
所述金屬顆粒(A)的粒徑的標準偏差除以所述金屬顆粒(A)的體積基準的累積分布中的累積50%時的粒徑D50所得到的值為2.5以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)熱性組合物,其特征在于:
所述金屬顆粒(A)的體積基準的累積分布中的累積95%時的粒徑D95為10μm以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)熱性組合物,其特征在于:
所述金屬顆粒(A)的體積基準的累積分布中的累積5%時的粒徑D5為0.6μm以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)熱性組合物,其特征在于:
所述金屬顆粒(A)的體積基準的累積分布中的累積95%時的粒徑D95與所述金屬顆粒(A)的體積基準的累積分布中的累積50%時的粒徑D50的差值為5μm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)熱性組合物,其特征在于:
所述金屬顆粒(A)含有選自Ag、Au和Cu中的一種或兩種以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)熱性組合物,其特征在于:
所述金屬顆粒(A)包含球狀顆粒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)熱性組合物,其特征在于:
所述金屬顆粒(A)包含片狀顆粒。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)熱性組合物,其特征在于:
所述金屬顆粒(A)包含球狀顆粒和片狀顆粒兩者。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)熱性組合物,其特征在于:
相對于所述導(dǎo)熱性組合物總量,所述金屬顆粒(A)的含量為80質(zhì)量%以上95質(zhì)量%以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)熱性組合物,其特征在于:
以測量頻率1Hz的條件進行動態(tài)粘彈性測量時,在140℃~180℃的溫度范圍內(nèi),具有10℃以上的剪切彈性模量為5,000Pa以上100,000Pa以下的溫度幅度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)熱性組合物,其特征在于:
除去所述金屬顆粒(A)后,以180℃、2個小時的條件進行加熱而獲得的試樣的丙酮不溶物為5質(zhì)量%以下。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)熱性組合物,其特征在于:
分子內(nèi)僅具有一個所述自由基聚合性雙鍵的所述化合物包含下述式(1)所示的化合物,
式(1)中,R11為氫或甲基,R12為碳原子數(shù)1~20的一價有機基團。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)熱性組合物,其特征在于:
5%重量減少溫度為100℃以上180℃以下。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





