[發明專利]選擇性處理工件的方法及系統

有效

• 申請號: 201680039913.1
• 申請日: 2016-07-06
• 公開（公告）號: CN107851562B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 馬克·R·亞瑪多;威廉·戴維斯·李;吉蓮·雷諾
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/324
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

本發明公開用于選擇性處理工件的系統及方法。舉例而言，可通過朝工件上的第一位置引導離子束來處理外部部分，其中離子束在兩個第一定位處延伸超過工件的外邊緣。接著使工件相對于離子束而繞工件的中心旋轉，以使外部部分的某些區暴露至離子束。接著使工件相對于離子束移動至第二位置并在相反的方向上旋轉，以使外部部分的所有區暴露至離子束。可將此過程重復進行多次。所述離子束可實行任意工藝，例如離子植入、蝕刻、或沉積。

技術領域

本發明的實施例涉及一種選擇性處理工件的方法及系統，且更具體而言涉及選擇性地處理半導體工件的特定部分。

背景技術

提高半導體裝置的良率是一持續目標。可改進的一個領域為整個工件在徑向方向上的工藝均勻性。在某些工藝中，工件可能在所述工件的中心附近接受到更多的處理。

舉例而言，沉積工藝可在工件的中心附近沉積較此工件的外邊緣附近多的材料。此可歸因于沉積室的中心附近的增大的等離子體密度。

作為另一實例，熱植入(heated implant)可在外邊緣附近提供不同的劑量，乃因工件的此外邊緣可較所述工件的其余部分稍涼。

在另一實例中，旋轉涂布工藝(spin coating process)可在工件的外邊緣附近留下與所述工件的中心附近相比更多的材料。此可歸因于朝工件的外邊緣推進涂布的向心力。

在這些實例中的每一者中，此種徑向方向上的工藝非均勻性可能對半導體工件的良率有負面影響。在某些情形中，對改進工藝的均勻性而作出努力。然而，可實現的均勻度可能存在限制。

因此，若存在一種選擇性地處理工件的外部部分的方法，則其將為有益的。此外，若此選擇性處理提高了工件的總體工藝均勻性，則其將為有利的。

發明內容

本發明公開用于選擇性處理工件的特定部分的系統及方法。舉例而言，可通過朝所述工件上的第一位置引導離子束來處理外部部分，其中所述離子束在兩個第一定位處延伸超過所述工件的外邊緣。接著使所述工件相對于所述離子束繞其中心旋轉，以使得所述外部部分的某些區暴露至所述離子束。接著使所述工件相對于所述離子束移動至第二位置并在相反的方向上旋轉，以使得所述外部部分的所有區暴露至所述離子束。可將此過程重復進行多次。所述離子束可實行任意工藝，例如離子植入、蝕刻、或沉積。在某些實施例中，所述外部部分可為環形圈(annular ring)，所述環形圈具有與所述工件的外徑相等的外徑且具有為1至30毫米的寬度。

根據一個實施例，公開一種處理工件的方法。所述方法包括：在朝第一位置引導離子束的同時使所述工件在第一方向上繞中心旋轉，其中所述離子束在兩個第一定位處延伸超過所述工件的外邊緣且所述第一位置是距離所述工件的所述外邊緣的預定距離，以處理所述工件的外部部分的一部分；相對于所述離子束移動所述工件，以朝所述工件上的第二位置引導所述離子束，其中所述離子束在兩個第二定位處延伸超過所述工件的外邊緣且所述第二位置是距離所述工件的所述外邊緣的所述預定距離；以及在朝所述第二位置引導所述離子束的同時使所述工件在與所述第一方向相反的第二方向上繞所述中心旋轉，以處理所述工件的所述外部部分的其余部分。在某些實施例中，在所述第一方向上將所述工件旋轉至少180°且在所述第二方向上將所述工件旋轉至少180°。在某些實施例中，所述離子束不在所述移動期間撞擊所述工件。在某些其他實施例中，在所述移動期間阻擋或消隱所述離子束。